[發明專利]干法刻蝕微電機系統犧牲層的方法有效
| 申請號： | 201410449776.1 | 申請日： | 2014-09-04 |
| 公開（公告）號： | CN104261345A | 公開（公告）日： | 2015-01-07 |
| 發明（設計）人： | 史曄;雷述宇 | 申請（專利權）人： | 北方廣微科技有限公司 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京漢昊知識產權代理事務所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100176 北京市大興區經濟技*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 刻蝕 微電機 系統 犧牲 方法 | ||
1.一種干法刻蝕微電機系統犧牲層的方法，該方法包括以下步驟：
a、提供CMOS集成電路的半導體襯底(1)，該半導體襯底表面具有CMOS集成電路引線端(10)；
b、在所述半導體襯底(1)上涂覆犧牲層(2)；
c、在所述犧牲層(2)上涂覆光刻膠(3)；
d、分兩步對涂覆光刻膠(3)的犧牲層(2)進行反應離子刻蝕，形成所需圖形(4)，其中在所述兩步中采用不同流量配比的氟基氣體與氧原子的混合氣體刻蝕；
e、依次對刻蝕后的圖形(4)進行有機化學溶液、無機化學溶液、去離子水的清洗及甩干。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述犧牲層(2)的材料是聚酰亞胺。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟d中，在所述兩步中的第一步采用的氟原子和碳原子的氣體流量配比為4:1～3:1，氟原子和氧原子的氣體流量配比為1:60～1:80，第二步采用的氟原子和碳原子的氣體流量配比為4:1～3:1，氟原子和氧原子的氣體流量配比為1:1.5～1:3。
4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，圖形(4)的形貌為兩臺階狀，所述兩臺階狀的高度及垂直度通過調整所述兩步刻蝕的時間及次序進行調整。
5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，在刻蝕后的圖形(4)的聚酰亞胺高度為1μm-2.2μm的情況下，第一步和第二步中的刻蝕時間分別為45s-110s。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟d中，兩步刻蝕工藝中采用的氣體壓強為100～500mtoor，刻蝕的射頻功率為200～800W。
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