[發明專利]鰭式場效應晶體管及其鰭的制造方法

在審

• 申請號: 201410449649.1
• 申請日: 2014-09-04
• 公開（公告）號: CN105448735A
• 公開（公告）日: 2016-03-30
• 發明（設計）人: 趙治國;朱慧瓏;殷華湘;鐘匯才
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/308
• 代理公司: 北京維澳專利代理有限公司 11252
• 代理人: 黨麗;逢京喜

1.一種鰭式場效應晶體管的鰭的制造方法，其特征在于，包括步驟：

提供襯底；

在襯底上形成圖案化的初始掩膜，該初始掩膜為第一結構；

形成N次側墻掩膜，每次形成側墻掩膜的步驟包括：在第n結構的側壁上形成第n側墻掩膜，獲得第n+1結構，n從1至N，N≥1；

選擇性地間隔去除上述掩膜；

以剩余的掩膜為掩蔽，刻蝕襯底以形成鰭。

2.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，在襯底上形成圖案化的初始掩膜的步驟具體包括：

在襯底上淀積初始掩膜層；

在初始掩膜層上形成第一圖案；

在第一圖案的側壁上形成側墻，并去除第一圖案；

以第一圖案的側墻為掩蔽，刻蝕初始掩膜層，以形成圖案化的初始掩膜；

去除第一圖案的側墻。

3.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，相間隔的掩膜具有相同的材料，并與相鄰的掩膜具有刻蝕選擇性。

4.根據權利要求3所述的制造方法，其特征在于，初始掩膜為多晶硅，與其相鄰的掩膜為氮化硅，在形成初始掩膜之前，還包括步驟：在襯底上形成第一墊氧層。

5.根據權利要求4所述的制造方法，其特征在于，選擇性地間隔去除上述掩膜的步驟具體包括：采用濕法腐蝕，選擇性地去除初始掩膜及與其間隔的掩膜。

6.一種鰭式場效應晶體管的制造方法，其特征在于，采用權利要求1-5中任一項所述的方法形成鰭。