[發明專利]艾普拉唑鈉化合物及其藥物組合物在審
| 申請號: | 201410449271.5 | 申請日: | 2014-09-04 |
| 公開(公告)號: | CN105461692A | 公開(公告)日: | 2016-04-06 |
| 發明(設計)人: | 陳慶財;趙俊;趙小偉;王孝雯;潘迅 | 申請(專利權)人: | 江蘇奧賽康藥業股份有限公司 |
| 主分類號: | C07D401/14 | 分類號: | C07D401/14;A61K31/4439;A61P1/04 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 211112 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 普拉 化合物 及其 藥物 組合 | ||
1.一種式I所示的艾普拉唑鈉化合物,
其特征在于,所述艾普拉唑鈉化合物為B型結晶形式,其使用Cu-Kα輻射,以2θ角度表示的X-射線粉末衍射圖譜在約5.61±0.2、10.91±0.2、12.64±0.2、16.23±0.2、16.78±0.2、22.94±0.2、28.15±0.2、33.90±0.2度處有特征峰;優選地在5.61±0.2、10.91±0.2、11.16±0.2、11.87±0.2、12.64±0.2、15.01±0.2、16.23±0.2、16.78±0.2、18.52±0.2、19.33±0.2、22.94±0.2、24.63±0.2、28.15±0.2、28.76±0.2、33.90±0.2度處有特征峰。
2.一種制備權利要求1所述的艾普拉唑鈉化合物的方法,包括:將艾普拉唑鈉原料溶解于甲醇或乙醇中,減壓濃縮析晶,過濾,干燥,得到B型結晶形式的艾普拉唑鈉;或者
將艾普拉唑鈉原料溶解于良性溶劑中,緩慢加入不良溶劑,室溫攪拌析晶,過濾,干燥,得到B型結晶形式的艾普拉唑鈉;所述良性溶劑選自甲醇或乙醇;所述不良溶劑選自甲基叔丁基醚或二乙基醚。
3.一種式I所示的艾普拉唑鈉化合物,
其特征在于,所述艾普拉唑鈉化合物為C型結晶形式,其使用Cu-Kα輻射,以2θ角度表示的X-射線粉末衍射圖譜在約4.96±0.2、14.15±0.2、14.83±0.2、16.96±0.2、19.16±0.2、27.43±0.2度處有特征峰;優選地,上述C型結晶形式的艾普拉唑鈉化合物使用Cu-Kα輻射,以2θ角度表示的X-射線粉末衍射圖譜在約4.96±0.2、9.89±0.2、12.84±0.2、14.15±0.2、14.83±0.2、16.96±0.2、19.18±0.2、20.12±0.2、21.45±0.2、21.89±0.2、23.35±0.2、25.27±0.2、26.18±0.2、27.43±0.2、27.70±0.2、29.93±0.2度處有特征峰。
4.一種制備權利要求3所述的艾普拉唑鈉化合物的方法,包括:將艾普拉唑鈉原料懸浮于不良溶劑中,攪拌,過濾,干燥,得到C型結晶形式的艾普拉唑鈉;所述不良溶劑選自乙腈或乙酸乙酯;或者
將艾普拉唑鈉原料溶解于良性溶劑中,緩慢加入不良溶劑,室溫下攪拌析晶,過濾,干燥,得到C型結晶形式的艾普拉唑鈉;所述良性溶劑選自甲醇、乙醇、異丙醇或四氫呋喃;所述不良溶劑選自二乙醚或二氯甲烷;或者
將艾普拉唑鈉原料溶解于良性溶劑中,減壓濃縮除去良性溶劑,向殘余物加入不良溶劑,室溫下攪拌析晶,過濾,干燥,得到C型結晶形式的艾普拉唑鈉;所述良性溶劑選自甲醇、乙醇或丙酮;所述不良溶劑選自乙腈或乙酸乙酯。
5.一種如式(I)所示的艾普拉唑鈉化合物,
其特征在于,所述艾普拉唑鈉化合物為D型結晶形式,其使用Cu-Kα輻射,以2θ角度表示的X-射線粉末衍射圖譜在約4.59±0.2、13.33±0.2、13.72±0.2、14.26±0.2、17.13±0.2、19.75±0.2、22.61±0.2、24.67±0.2、26.52±0.2、27.62±0.2度處有特征峰;優選地,上述D型結晶形式的艾普拉唑鈉化合物使用Cu-Kα輻射,以2θ角度表示的X-射線粉末衍射圖譜在2θ約4.59±0.2、6.00±0.2、10.87±0.2、12.48±0.2、13.33±0.2、13.72±0.2、14.26±0.2、17.13±0.2、18.31±0.2、19.75±0.2、20.71±0.2、21.36±0.2、22.61±0.2、24.67±0.2、25.19±0.2、26.52±0.2、27.62±0.2、29.38±0.2、31.76±0.2度處有特征峰。
6.一種制備權利要求5所述的艾普拉唑鈉化合物的方法,包括:將艾普拉唑鈉原料懸浮于氯仿中,室溫攪拌析晶,過濾,干燥,得到D型結晶形式的艾普拉唑鈉。
7.一種如式(I)所示的艾普拉唑鈉化合物,
其特征在于,所述艾普拉唑鈉化合物為E型無定形形式,其使用Cu-Kα輻射,以2θ角度表示的X-射線粉末衍射圖譜在約4.28±0.2、16.78±0.2、18.18±0.2、20.02±0.2度處有特征峰。
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