[發(fā)明專利]一種漆膜表面防靜電的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410449145.X
• 申請日: 2014-09-04
• 公開（公告）號: CN104264115A
• 公開（公告）日: 2015-01-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李林;許旻;王潔冰;趙印中;吳春華;左華平
• 申請（專利權(quán)）人: 蘭州空間技術(shù)物理研究所
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/08;B32B33/00
• 代理公司: 北京理工大學(xué)專利中心 11120
• 代理人: 仇蕾安;李愛英

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種漆膜表面防靜電的方法，屬薄膜技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)

防靜電涂料本身是比較成熟的一類產(chǎn)品，相關(guān)研究也比較多，很多種類的涂料也可通過添加防靜電填料達到導(dǎo)電(防靜電)的目的。但是在一些特殊場合和特殊應(yīng)用條件下，添加填料防靜電的方法并不可取，例如，在高溫、強紫外輻照、空間等環(huán)境下需要漆膜表現(xiàn)顏色、圖案等信息，這類使用條件對漆膜的色彩進行了限定，進而對防靜電涂料和填料進行了限制。因此如何在不改變漆膜本身特性的情況下，實現(xiàn)防靜電功能是一個需要解決的問題。本發(fā)明提出了一種在不影響漆膜顏色、圖案的情況下使漆膜表面導(dǎo)電(防靜電)的方法。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明解決的目的是提出了一種在不影響漆膜顏色、圖案的情況下實現(xiàn)漆膜表面防靜電的方法。

實現(xiàn)本發(fā)明的技術(shù)方案如下：

一種漆膜表面防靜電的方法，具體過程為：

第一步，采用離子源對漆膜表面進行清洗，清洗時間控制在1min～10min之間；

第二步，在漆膜表面鍍制透明導(dǎo)電薄膜；所述鍍制為：采用不同濺射速率分三次在漆膜表面進行透明導(dǎo)電薄膜的濺射沉積；

第一次沉積，沉積厚度控制在10nm～20nm之間，沉積速率控制在1nm/min～2nm/min之間；沉積后進行退火處理，退火溫度控制在150℃～200℃之間，時間控制在5min～10min；

第二次沉積，沉積厚度控制在20nm～50nm之間，沉積速率控制在2nm/min～5nm/min之間；沉積后進行退火處理，退火溫度控制在150℃～200℃之間，時間控制在10min～15min；

第三次沉積，沉積厚度控制在20nm～130nm之間，沉積速率控制在2nm/min～5nm/min之間；沉積后進行退火處理，退火溫度控制在150℃～200℃之間，時間控制在15min～20min。

進一步地，本發(fā)明所述透明導(dǎo)電薄膜為氧化銦錫薄膜或氧化鋅薄膜。

進一步地，本發(fā)明實現(xiàn)三次沉積的濺射為射頻磁控濺射和直流脈沖磁控濺射。

有益效果

本發(fā)明在漆膜表面通過濺射法制備了導(dǎo)電的透明薄膜材料(透明防靜電薄膜)，使漆膜具有了防靜電的性能。同時，透明薄膜材料不影響漆膜的顏色、外觀與圖案，并具有良好的化學(xué)穩(wěn)定性，對漆膜起到了一定的保護作用。

附圖說明

圖1為本發(fā)明制作方法的流程圖；

圖2為根據(jù)制作方法所制作的漆膜的結(jié)構(gòu)示意圖。

1.透明導(dǎo)電薄膜；2.漆膜(涂料)層。

具體實施方式

以下結(jié)合實例具體實例對本發(fā)明作進一步描述，但本發(fā)明不局限于下述實例。

本發(fā)明為一種漆膜表面防靜電的方法，本發(fā)明通過濺射法在漆膜表面鍍透明導(dǎo)電薄膜來達到增強漆膜防靜電的能力，由于透明導(dǎo)電薄膜在通過濺射法制備時需解決漆膜與透明導(dǎo)電薄膜的應(yīng)力匹配問題，避免環(huán)境溫度劇烈變化時透明導(dǎo)電薄膜出現(xiàn)裂紋甚至脫落的現(xiàn)象。因此本發(fā)明分兩步解決應(yīng)力匹配問題，如圖1所示，具體過程為：

第一步，采用離子源對漆膜表面進行清洗(轟擊)，清除漆膜表面小分子雜質(zhì)，清洗時間控制在1min～10min之間。

第二部，在漆膜表面鍍制透明導(dǎo)電薄膜；所述鍍制為：采用不同磁控濺射速率分三次在漆膜表面進行透明導(dǎo)電薄膜的沉積，每次沉積后均進行退火處理。

第一次沉積，沉積厚度控制在10nm～20nm之間，沉積速率控制在1nm/min～2nm/min之間。第一沉積作用是對漆膜表面進行填充、減小表面粗糙度。沉積后進行退火處理以消減應(yīng)力，退火溫度控制在150℃～200℃之間，時間控制在5min～10min。

第二次沉積，沉積厚度控制在20nm～50nm之間，沉積速率控制在2nm/min～5nm/min之間。第二次沉積作用是對漆膜表面進行透明導(dǎo)電薄膜的覆蓋。沉積后進行退火處理以消減應(yīng)力，退火溫度控制在150℃～200℃之間，時間控制在10min～15min。

第三次沉積，沉積厚度控制在20nm～130nm之間，沉積速率控制在2nm/min～5nm/min之間。第三次沉積的作用是對第二次退火后產(chǎn)生的微裂紋進行填充并使透明導(dǎo)電薄膜具有連續(xù)完整的結(jié)構(gòu)從而表現(xiàn)出導(dǎo)電特性。沉積后進行退火處理以消減應(yīng)力，退火溫度控制在150℃～200℃之間，時間控制在15min～20min。