[發明專利]一種雙島框架鍵合加熱塊及夾具有效
| 申請號: | 201410449101.7 | 申請日: | 2014-09-05 |
| 公開(公告)號: | CN105470189B | 公開(公告)日: | 2018-09-21 |
| 發明(設計)人: | 王建新;吳凡;郁琦 | 申請(專利權)人: | 無錫華潤安盛科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687;H01L21/60 |
| 代理公司: | 無錫互維知識產權代理有限公司 32236 | 代理人: | 龐聰雅 |
| 地址: | 214028 江蘇省無錫*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 框架 加熱 夾具 | ||
1.一種雙島框架鍵合加熱塊,其特征在于:
所述加熱塊具有至少一個凹槽,自所述凹槽底部向上突出形成并位于所述凹槽內的一具有斜面的凸臺,所述凹槽用于容置雙島框架。
2.根據權利要求1所述的雙島框架鍵合加熱塊,其特征在于:所述凸臺位于所述凹槽底部的中部并占所述凹槽底部長度的七分之五至五分之四。
3.根據權利要求1所述的雙島框架鍵合加熱塊,其特征在于:所述凸臺位于整個凹槽的底部。
4.根據權利要求1所述的雙島框架鍵合加熱塊,其特征在于:所述凹槽底面與所述凸臺斜面的夾角為0.5°-1°。
5.根據權利要求4所述的雙島框架鍵合加熱塊,其特征在于:所述凹槽底面與所述凸臺斜面的夾角為0.88°。
6.根據權利要求1所述的雙島框架鍵合加熱塊,其特征在于:自所述凸臺的頂面中心位置向下延伸開通有真空管道。
7.根據權利要求1所述的雙島框架鍵合加熱塊,其特征在于:所述凸臺的最高端等于所述凹槽深度的四分之一至三分之一。
8.根據權利要求1所述的雙島框架鍵合加熱塊,其特征在于:所述加熱塊,其凹槽兩側的高度不等。
9.根據權利要求1所述的雙島框架鍵合加熱塊,其特征在于:所述雙島框架,其包括第一小島、第二小島、第一連筋、第二連筋、第三連筋、第四連筋、第五連筋、第六連筋、第一芯片和第二芯片,所述第一小島通過所述第一連筋、第二連筋和第三連筋來固定,其中,所述第二連筋和第三連筋為所述第一芯片的引腳,所述第二小島通過第四連筋、第五連筋和第六連筋來固定,其中,所述第五連筋和第六連筋為所述第二芯片的引腳,在進行鍵合時,所述雙島框架的第一小島和第二小島置于所述凸臺上,所述第一小島上放置第一芯片,所述第二小島上放置第二芯片。
10.一種用于雙島框架鍵合的夾具,其特征在于:包括壓板及如權利要求1-6之一所述的加熱塊,所述雙島框架的第一小島和第二小島置于所述凸臺和壓板之間以實現鍵合時的固定和加熱。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





