[發(fā)明專利]制造金屬掩模的方法及使用該方法形成的金屬掩模有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410448981.6 | 申請日: | 2014-09-04 |
| 公開(公告)號: | CN104425219B | 公開(公告)日: | 2019-03-08 |
| 發(fā)明(設計)人: | 李忠浩;樸東真;李道炯;尹盛湜;鄭茶姬;趙俊豪 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/027 | 分類號: | H01L21/027;H01L51/50;C23C14/04 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11204 | 代理人: | 余朦;劉錚 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 制造 金屬 方法 使用 形成 | ||
公開了一種制造金屬掩模的方法及使用該方法形成的金屬掩模。根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的制造金屬掩模的方法包括:通過在板的順序變小的、重疊的部分上用激光進行掃描來使用激光在板中形成通孔。
相關申請的交叉引用
本申請要求于2013年9月10日提交的第10-2013-0108591號韓國專利申請的優(yōu)先權和權益,其通過引用并入本文用于所有目的,如在本文中進行了充分地闡述一樣。
技術領域
本公開涉及制造金屬掩模的方法及使用該方法形成的金屬掩模。
背景技術
有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器為近來受到關注的一種圖像顯示裝置。因為OLED顯示器不像液晶顯示器(LCD)那樣需要額外的光源,所以其具有自發(fā)光的特性并且其厚度小且重量輕。此外,OLED顯示器具有低功耗、高亮度、以及高響應速度。
當制造這種OLED顯示器時,金屬掩模可用于將紅色(R)有機發(fā)光層、綠色(G)有機發(fā)光層、以及藍色(B)有機發(fā)光層沉積在顯示器的基底上。在使用金屬掩模形成一種顏色的有機發(fā)光層之后,可通過將金屬掩模移動一個像素單元來形成其他顏色的有機發(fā)光層,其中該金屬掩模中已形成有尺寸為一個像素的開口。
通常,當制造金屬掩模時,使用蝕刻方法形成用于沉積有機發(fā)光材料的開口。隨著OLED顯示器的尺寸和/或分辨度的增大,當使用蝕刻方法制造金屬掩模時,金屬掩模的尺寸及形成在金屬掩模中的開口的精確度受到限制。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的方面提供了一種制造金屬掩模的方法以及使用該方法形成的金屬掩模,其中該方法可應用至沉積用于大尺寸且高分辨率的顯示裝置的發(fā)光材料的過程。
本發(fā)明的其他特征將在下面的描述中進行闡述,其中一部分將通過下面的描述變得明顯,或可通過本發(fā)明的實踐而進行學習。
本發(fā)明示例性實施方式提供了一種制造金屬掩模的方法,其包括將板平面化;以及通過多次用激光在該板的對應圖案區(qū)域上進行掃描而在經(jīng)過平面化的該板中形成通孔,其中形成通孔的步驟包括通過照射激光至板的圖案區(qū)域貫穿板并且漸次地形成了槽。
本發(fā)明的另一示例性實施方式提供了一種使用制造金屬掩模的方法制造的金屬掩模,其中通孔呈矩形并且設置成矩陣。
根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式,提供了一種制造金屬掩模的方法及使用該方法制造的金屬掩模,其中該金屬掩模可使用超短脈沖激光形成準確的圖案。應理解,上述的概括描述和下面的詳細描述都是示例性和解釋性的,并且旨在提供所要求保護的本發(fā)明的進一步解釋。
附圖說明
為提供本發(fā)明的進一步理解,本發(fā)明包括了結合在說明書內(nèi)并構成說明書的一部分的附圖,其示出了本發(fā)明的示例性實施方式并且與說明書一起用來解釋本發(fā)明的原理。
圖1示意性示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的金屬掩模的制造;
圖2是根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的金屬掩模的俯視平面圖;
圖3是圖2中的部分II的放大圖;
圖4是沿圖3中的線IV-IV'的剖視圖;
圖5的(A)部分-圖5的(C)部分是示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的制造金屬掩模的方法的槽形成操作的剖視圖;
圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的制造金屬掩模的方法的槽形成操作的俯視平面圖;
圖7是示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的制造金屬掩模的方法的開口形成操作的俯視平面圖;
圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的制造金屬掩模的方法的開口形成操作的剖視圖;以及
圖9是使用傳統(tǒng)方法制造的金屬掩模的剖視圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





