[發明專利]半導體裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 201410448492.0
• 申請日: 2014-09-04
• 公開（公告）號: CN104916672A
• 公開（公告）日: 2015-09-16
• 發明（設計）人: 末代知子;小倉常雄;中村和敏;下條亮平
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L21/331
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 張世俊

1.一種半導體裝置，其特征在于包括：

第一電極；

第二電極，其包含向所述第一電極側延伸的部分；

第一導電型的第一半導體層，其設置在所述第一電極與所述第二電極之間；

第二導電型的第一半導體區域，其設置在所述第一半導體層與所述第二電極之間；

第一導電型的第二半導體區域，其設置在所述第一半導體區域與所述第二電極之間，且與所述部分接觸；

第三電極，其位于所述第一電極與所述部分之間，隔著第一絕緣膜設置在所述第一半導體層、所述第一半導體區域以及所述第二半導體區域，且連接在所述部分；

第四電極，其隔著第二絕緣膜設置在所述第一半導體層、所述第一半導體區域以及所述第二半導體區域；以及

第二導電型的第三半導體區域，其設置在所述第一半導體區域與所述第二半導體區域之間，具有比所述第一半導體區域高的雜質濃度。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：在所述第三半導體區域與所述部分之間設置著所述第二半導體區域。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于：所述部分與所述第三半導體區域接觸。

4.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于：其還包括第二導電型的第四半導體區域，其設置在所述第一半導體區域與所述第二電極之間，與所述部分接觸，具有比所述第一半導體區域高的雜質濃度；

所述第二半導體區域與所述第四半導體區域是交替排列在與從所述第一電極朝向所述第二電極的方向交叉的方向上；且

所述第三半導體區域是在所述交替排列的方向上連續地延伸。

5.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于：其還包括第二導電型的第五半導體區域，其設置在所述第一半導體層與所述第一電極之間。

6.一種半導體裝置，其特征在于包括：

第一電極；

第二電極，包含向所述第一電極側延伸的第一部分以及厚度比所述第一部分薄的第二部分；

第一導電型的第一半導體層，設置在所述第一電極與所述第二電極之間；

第二導電型的第一半導體區域，設置在所述第一半導體層與所述第二電極之間；

第一導電型的第二半導體區域，設置在所述第一半導體區域與所述第二電極之間，且連接在所述第一部分以及所述第二部分；

第三電極，設置在所述第一電極、與所述第一部分以及第二部分之間，隔著第一絕緣膜設置在所述第一半導體層以及所述第一半導體區域，且連接在所述第一部分以及所述第二部分；

第四電極，隔著第二絕緣膜設置在所述第一半導體層、所述第一半導體區域以及所述第二半導體區域；以及

第二導電型的第三半導體區域，設置在所述第一半導體區域與所述第一部分之間，雜質濃度高于所述第一半導體區域。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于：所述第三半導體區域設置在所述第一半導體區域與所述第二部分之間。

8.根據權利要求6或7所述的半導體裝置，其特征在于：所述第一電極與所述第三電極之間的距離和所述第一電極與所述第四電極之間的距離不同。

9.根據權利要求6或7所述的半導體裝置，其特征在于：其還包括第二導電型的第五半導體區域，其設置在所述第一半導體層與所述第一電極之間。

10.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于包括如下步驟：

準備如下構造體，也就是，在第一導電型的半導體層的表層設置著第二導電型的第一半導體區域，在所述第一半導體區域的表層選擇性地設置著第一導電型的第二半導體區域，且設置著第三電極以及第四電極，所述第三電極是隔著第一絕緣膜設置在所述第一半導體層、所述第一半導體區域以及所述第二半導體區域，所述第四電極是隔著第二絕緣膜設置在所述第一半導體層、所述第一半導體區域以及所述第二半導體區域；

在所述第二半導體區域之上以及所述第四電極之上形成層間絕緣膜，所述層間絕緣膜覆蓋所述第四電極、所述第二絕緣膜以及夾著所述第四電極的所述第二半導體區域的一部分，且使所述第三電極、所述第一絕緣膜以及除所述一部分以外的所述第二半導體區域的部分露出；

對露出的所述第三電極、所述第一絕緣膜以及所述第二半導體區域的所述部分進行蝕刻，形成以所述第三電極、所述第一絕緣膜以及所述第二半導體區域的所述部分為底部的溝槽；以及

將第二導電型的雜質元素經由所述溝槽導入到所述半導體層側，在所述第一半導體區域與所述第二半導體區域之間形成第二導電型的第三半導體區域。