[發明專利]一種新型結構太陽電池及其制作方法

無效

• 申請號: 201410447706.2
• 申請日: 2014-09-04
• 公開（公告）號: CN104377253A
• 公開（公告）日: 2015-02-25
• 發明（設計）人: 金井升;蔣方丹;金浩;郭俊華;陳康平
• 申請（專利權）人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18
• 代理公司: 浙江杭州金通專利事務所有限公司 33100
• 代理人: 吳關炳

1.一種新型結構太陽電池，包括正面導電電極（1）、減反射膜層（3）、n++發射極（4）、p硅基底（5）、p+背面電場（6）、背場（7）和背面電極（8），其特征在于：在所述減反射膜層（3）上設有透明導電膜層（2）。

2.如權利要求1所述的一種新型結構太陽電池，其特征在于：所述正面導電電極（1）的材料為銀、銅、鎳或鋁。

3.一種制作如權利要求1所述的新型結構太陽電池的方法，其特征在于，包括如下步驟：

（1）選取p型晶體硅片，進行表面織構化：采用質量百分含量為2.5%的氫氧化鈉溶液進行表面織構化25min，控制溫度為80℃，形成金字塔減反射結構；

（2）進行磷輕擴散形成n+層：采用三氯氧磷液態源，在管式擴散爐中進行擴散，使恒溫區的溫度為810℃，擴散時間為30min，擴散方阻控制在70Ω/□，結深為0.25μm；

（3）進行背面刻蝕，并去除硅片上的磷硅玻璃：將硅片背面接觸化學溶液進行單面拋光，所述溶液為質量百分含量為20%的氫氧化鉀溶液，控制溫度為70℃，時間為10min；然后采用質量百分含量為5%的HF溶液去除硅片上的PSG；

（4）在n+層上沉積減反射膜：利用管式PECVD設備在硅片正面沉積SiNx作為鈍化減反射膜，SiNx的厚度為80nm，折射率為2；

（5）在減反射膜上進行局部開膜：采用飛秒激光對減反射膜進行局部開膜處理，開膜的形狀為連續的或不連續的柵線；

（6）在已開膜的減反射膜上制備透明導電膜層：采用磁控濺射的方法在減反射膜上制備透明導電膜層，所述透明導電膜層厚度為50nm；

（7）在背面印刷背面電極和背面場：在硅片背面絲網印刷銀漿作為背面電極，烘干后再印刷鋁漿作為背面場，然后再烘干；

（8）經燒結形成背面金屬與硅片之間的歐姆接觸：在鏈式燒結爐中進行一次燒結，燒結的峰值溫度為750℃，帶速為610mm/min；

（9）在透明導電膜層上制備導電電極，完成太陽電池的制備：采用磁控濺射的方法在透明導電膜層上制備材料為銀、銅、鎳或鋁的導電電極。

4.如權利要求3所述的新型結構太陽電池的方法，其特征在于，所述步驟（5）在減反射膜上進行局部開膜的形狀為連續的柵線，柵線長度為123mm，線寬為60μm，間距為1.8mm。

5.如權利要求3所述的新型結構太陽電池的方法，其特征在于，所述步驟（9）在透明導電膜層上制備材料為銅的導電電極，圖形為柵線形狀，柵線長度為123mm，線寬為1.5mm，間距為52mm。