[發明專利]改善硼摻雜P型單晶硅電池光致衰減裝置及其使用方法有效
| 申請號: | 201410447653.4 | 申請日: | 2014-09-03 |
| 公開(公告)號: | CN104201242A | 公開(公告)日: | 2014-12-10 |
| 發明(設計)人: | 王子港;陳奕峰;崔艷峰;皮爾·威靈頓 | 申請(專利權)人: | 常州天合光能有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/324 |
| 代理公司: | 常州市科誼專利代理事務所 32225 | 代理人: | 孫彬 |
| 地址: | 213022 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 改善 摻雜 單晶硅 電池 衰減 裝置 及其 使用方法 | ||
1.一種改善硼摻雜P型單晶硅電池光致衰減裝置,其特征在于:它包括箱體(6)、光源(1)、探針排(2)、加熱臺(4)和電源(5),電源(5)的正極與加熱臺(4)電性連接,電源(5)的負極與探針排(2)電性連接;當待處理電池(3)放置在加熱臺(4)上時,所述的光源(1)位于待處理電池(3)的上方以便用于光照待處理電池(3),探針排壓在待處理電池正面的主柵上。
2.根據權利要求1所述的改善硼摻雜P型單晶硅電池光致衰減裝置,其特征在于:所述的光源(1)為LED燈、鹵素燈和Flash燈中的至少一種。
3.根據權利要求1或2所述的改善硼摻雜P型單晶硅電池光致衰減裝置,其特征在于:所述的加熱臺(4)為銅材或鋁材制成。
4.一種如權利要求1至3中任一項所述的改善硼摻雜P型單晶硅電池光致衰減裝置的使用方法,其特征在于它包含如下步驟:
(a)將待處理電池(3)放置在加熱臺(4)上對其進行加熱;
(b)將探針排(2)壓在待處理電池(3)的正面的主柵上;
(c)打開光源(1)對待處理電池(3)進行光照,并同時通過電源(5)對待處理電池(3)進行通電并加光照一段時間;
(d)將處理后的電池冷卻至室溫;
(e)進行測試分檔。
5.根據權利要求4所述的改善硼摻雜P型單晶硅電池光致衰減裝置的使用方法,其特征在于:所述的光源(1)的輻照度為0.1kW/m2~10kW/m2。
6.根據權利要求4所述的改善硼摻雜P型單晶硅電池光致衰減裝置的使用方法,其特征在于:所述的電源(5)為直流恒流源,對待處理電池(3)施加的直流電流的電流密度為10~1000mA/cm2。
7.根據權利要求4所述的改善硼摻雜P型單晶硅電池光致衰減裝置的使用方法,其特征在于:在所述的步驟(c)中,處理時間為0.01~60min。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L31-04 .用作轉換器件的
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H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





