[發明專利]改良黑電平校準的圖像傳感器在審
| 申請號： | 201410447129.7 | 申請日： | 2014-09-03 |
| 公開（公告）號： | CN104184969A | 公開（公告）日： | 2014-12-03 |
| 發明（設計）人： | 郭同輝;曠章曲 | 申請（專利權）人： | 北京思比科微電子技術股份有限公司 |
| 主分類號： | H04N5/374 | 分類號： | H04N5/374;H04N5/3745;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京凱特來知識產權代理有限公司 11260 | 代理人： | 鄭立明;趙鎮勇 |
| 地址： | 100085 北京市海*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 改良 電平 校準 圖像傳感器 | ||
【權利要求書】：
1.一種改良黑電平校準的圖像傳感器，包含感光像素陣列和遮光像素陣列，其特征在于，所述遮光像素陣列中包含抽取半導體基體中溢出電荷的像素和黑電平校準像素，所述抽取半導體基體中溢出電荷的像素位于所述感光像素陣列與所述黑電平校準像素之間，將所述感光像素陣列與所述黑電平校準像素隔離開。
2.根據權利要求1所述的改良黑電平校準的圖像傳感器，其特征在于，所述抽取半導體基體中溢出電荷的像素至少為2個像素單元。
3.根據權利要求1所述的改良黑電平校準的圖像傳感器，其特征在于，所述抽取半導體基體中溢出電荷的像素中包括光電二極管，所述光電二極管與電源連通。
4.根據權利要求1、2或3所述的改良黑電平校準的圖像傳感器，其特征在于，所述抽取半導體基體中溢出電荷的像素中包括電荷轉移晶體管，所述電荷轉移晶體管處于開啟狀態，其柵極電壓大于等于0.5倍的電源電壓。
5.根據權利要求1、2或3所述的改良黑電平校準的圖像傳感器，其特征在于，所述抽取半導體基體中溢出電荷的像素中包括復位晶體管，所述復位晶體管處于開啟狀態，其柵極電壓大于等于0.5倍的電源電壓。
6.根據權利要求1、2或3所述的改良黑電平校準的圖像傳感器，其特征在于，所述抽取半導體基體中溢出電荷的像素中包括選擇晶體管，所述選擇晶體管處于關閉狀態，其柵極電壓為0V。
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