[發明專利]一種有機電致發光器件及其制備方法、顯示裝置在審
| 申請號: | 201410447024.1 | 申請日: | 2014-09-03 |
| 公開(公告)號: | CN104269498A | 公開(公告)日: | 2015-01-07 |
| 發明(設計)人: | 王玉林 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/56 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 有機 電致發光 器件 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,具體地,涉及一種有機電致發光器件及其制備方法、顯示裝置。
背景技術
在光電顯示技術領域,有機電致發光器件(Organic?Light?Emitting?Diode,簡稱OLED)具有主動發光、亮度高、對比度高、超薄、功耗低、視角大以及工作溫度范圍寬等諸多優點,是一種具有廣泛應用的先進新型平板顯示裝置。
但由于有機材料固有的特性,其易吸收水氧且受水氧侵蝕后極易損耗變質,從而使器件壽命受到很大影響,所以OLED器件對封裝的要求很高。
目前對OLED器件的封裝技術也日趨成熟,包括傳統的玻璃蓋貨金屬蓋加干燥片的封裝,面封裝(Face?Encap),熔接封裝(Frit?Encap),薄膜封裝(TFE,Thin?Film?Encap)等。
薄膜封裝技術在減少器件重量和厚度、減少封裝配件降低封裝成本、減小封裝邊緣寬度,消滅顯示死角以及可卷曲柔性等方面有突出的優點。
現有技術的中的OLED器件經薄膜封裝后其結構如圖1所示,包括:基板1和設置在基板1上的有機發光單元2,覆蓋在發光器件上形成預封裝層3;在預封裝層3上沉積有機薄膜5進行封裝,形成有機電致發光器件。
如圖2所示,其中,一般的有機發光單元2包括第一電極201和第二電極203,以及兩者之間的有機功能層202,其中,第一電極201和第二電極203向有機功能層202提供空穴和電子用于發光;在第二電極203上設有緩沖層204用于起保護作用;在第一電極201和有機功能層202之間設有絕緣層205。
封裝層3是在較低的功率下沉積的,以減少沉積工藝對有機發光單元2的損傷;
有機薄膜5是采用流態的有機物成膜并經固化(紫外固化)形成的,在固化過程中由于有機薄膜會產生收縮或膨脹,在有機薄膜會帶動預封裝層3發生收縮或膨脹,從而在發光器件2上產生應力,該應力對有機發光單元2會產生損傷;
同時,有機薄膜5也易吸收水氧,發生形變產生損耗,或有機薄膜5吸收的水氧進一步傳遞至有機發光單元2,降低有機發光單元2使用壽命。
發明內容
本發明的目的是解決現有技術存在的有機電致發光器件中有機薄膜固化產生應力對有機發光單元易產生損傷;同時有機薄膜易吸收水氧產生損傷或將水氧傳遞至有機發光單元降低有機發光單元使用壽命的問題,提供一種有機電致發光器件及其制備方法。
解決本發明技術問題所采用的技術方案是一種有機電致發光器件,包括基板和設置在基板上的有機發光單元;覆蓋有機發光單元的預封裝層;在所述的預封裝層上設有第一無機薄膜。
優選的是,在所述的第一無機薄膜上設有至少一組由有機薄膜和無機薄膜依次交替形成的薄膜組。
優選的是,所述薄膜組數為2-10組。
優選的是,所述第一無機薄膜在基板上的投影面積大于或等于預封裝層在基板上的投影面積。
優選的是,所述薄膜組中所述無機薄膜覆蓋所述有機薄膜。
優選的是,所述有機薄膜的厚度為100-2000nm。
優選的是,所述有機薄膜采用聚對二甲苯、聚脲、丙烯酸樹脂中的任意一種制備。
優選的是,所述無機薄膜的厚度為100-500nm。
優選的是,所述無機薄膜采用Al2O3,SiN,SiO2,SiNO,TiO2,ZrO2,ZnO,MgF2,ZnS中的任意一種制備。
優選的是,所述預封裝層在基板上的投影面積大于所述有機發光單元在基板上的投影面積。
本發明的另一目的是提供一種上述的有機電致發光器件的制備方法,包括以下步驟:
在設置有有機發光單元的基板上形成預封裝層,所述預封裝層覆蓋所述有機發光單元;
在所述預封裝層上形成第一無機薄膜。
優選的是,還包括
在所述第一無機薄膜上形成至少一組薄膜組,所述薄膜組包括依次交替形成的有機薄膜和無機薄膜。
本發明的有機電致發光器件及其制備方法中第一無機薄膜相對于預封裝層具有更致密分子結構,并且第一無機薄膜整體上將預封裝層和有機發光單元覆蓋,防止水氧經預封裝層侵入有機發光單元,從而影響有機發光單元的使用壽命。
附圖說明
圖1為現有技術中有機電致發光器件經封裝后的結構示意圖;
圖2為現有技術中有機電致發光器件中有機發光單元的結構示意圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





