[發明專利]半導體裝置在審
| 申請號: | 201410446895.1 | 申請日: | 2014-09-03 |
| 公開(公告)號: | CN104426531A | 公開(公告)日: | 2015-03-18 |
| 發明(設計)人: | 藤井啟史 | 申請(專利權)人: | 瑞薩電子株式會社 |
| 主分類號: | H03K19/094 | 分類號: | H03K19/094;H03K19/14;H02H3/08;H02H5/04 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人: | 李蘭;孫志湧 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 裝置 | ||
1.一種半導體裝置,包括:
光電耦合器,所述光電耦合器被構造成光學地傳遞電信號;
驅動邏輯電路部,所述驅動邏輯電路部與所述光電耦合器連接并且被構造成基于傳遞的電信號產生信號對;
傳感器電路部,所述傳感器電路部被構造成接收電源電壓并且輸出基于溫度變化而變化的溫度相關電壓組;
輸出電路部,所述輸出電路部被構造成接收所述溫度相關電壓組,并且從輸出端子輸出通過放大所述信號對而得到的輸出電壓;
控制電路部,所述控制電路部被構造成接收所述電源電壓并且基于所述溫度相關電壓組產生控制信號組;以及
保護電路部,所述保護電路部被構造成基于所述控制信號組停止從所述輸出端子輸出所述輸出電壓。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置,其中,所述輸出電路部包括:
輸出上級晶體管組,所述輸出上級晶體管組被構造成接收所述溫度相關電壓組,放大所述信號對中的一個信號以輸出到所述輸出端子;以及
輸出下級晶體管組,所述輸出下級晶體管組被構造成接收地電壓并且放大所述信號對中的另一個信號以輸出到所述輸出端子,
其中,所述傳感器電路部包括傳感器電阻組,在所述傳感器電阻組中,至少一個傳感器電阻的電阻值基于所述傳感器電阻的溫度變化而變化,
其中,所述控制電路部包括:
控制晶體管組,在所述控制晶體管組中,至少一個控制晶體管基于從所述傳感器電阻組輸出的所述溫度相關電壓組在操作狀態和非操作狀態之間切換;
分壓電路組,所述分壓電路組被構造成對從處于操作狀態的所述控制晶體管組輸出的控制中間電壓組進行分壓,以作為所述控制信號組輸出;以及
分壓節點組,從所述分壓節點組輸出所述控制信號組,并且
其中,所述保護電路部包括保護晶體管組,所述保護晶體管組被構造成基于所述控制信號組將所述輸出端子連接到所述地電壓。
3.根據權利要求2所述的半導體裝置,其中,所述溫度相關電壓組包括第一溫度相關電壓和第二溫度相關電壓,并且
其中,所述傳感器電阻組包括:
第一傳感器電阻,所述第一傳感器電阻的電阻值隨著溫度變化基于第一系數變化,并且所述第一傳感器電阻被構造成接收所述電源電壓并輸出所述第一溫度相關電壓;以及
第二傳感器電阻,所述第二傳感器電阻的電阻值隨著溫度變化基于不同于所述第一系數的第二系數變化,并且所述第二傳感器電阻被構造成接收所述電源電壓并輸出所述第二溫度相關電壓。
4.根據權利要求3所述的半導體裝置,其中,所述控制中間電壓組包括控制中間電壓,
其中,所述控制晶體管組包括控制晶體管,所述控制晶體管被構造成接收所述第一溫度相關電壓并且輸出所述控制中間電壓,
其中,所述分壓電路組對所述控制中間電壓進行分壓并且包括第一分壓電阻和第二分壓電阻,
其中,所述分壓節點組包括連接在所述第一分壓電阻和所述第二分壓電阻之間的分壓節點,
其中,所述輸出上級晶體管組包括輸出上級晶體管,所述輸出上級晶體管的柵極與所述驅動邏輯電路部的第一輸出節點連接,所述第一輸出節點輸出所述信號對中的所述一個信號,
其中,所述輸出下級晶體管組包括輸出下級晶體管,所述輸出下級晶體管的柵極與所述驅動邏輯電路部的第二輸出節點連接,所述第二輸出節點輸出所述信號對中的所述另一個信號,
其中,所述保護晶體管組包括保護晶體管,所述保護晶體管的源極和漏極連接在所述輸出端子和所述地電壓之間,并且所述保護晶體管的柵極與所述分壓節點連接,并且
其中,所述控制晶體管的柵極與在所述第二傳感器電阻和所述輸出上級晶體管之間的節點連接。
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