[發明專利]一種倒裝太陽能電池芯片制造方法

有效

• 申請號: 201410446310.6
• 申請日: 2014-09-03
• 公開（公告）號: CN105390566B
• 公開（公告）日: 2017-07-18
• 發明（設計）人: 武智平
• 申請（專利權）人: 新疆中興能源有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司11139
• 代理人: 孫皓晨

1.一種倒裝太陽能電池芯片制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1：在一電池本體襯底上方依次淀積一腐蝕截止層、一n型GaAs歐姆接觸層、一帶隙遞減的多結電池以及一p型GaAs歐姆接觸層，以形成一倒裝太陽能電池外延層；

S2：提供一支撐襯底；

S3：在所述倒裝太陽能電池外延層和所述支撐襯底表面分別蒸鍍一鍵合金屬層；

S4：采用金屬鍵合工藝，將上一步驟中的兩個所述鍵合金屬層進行鍵合；

S5：去除所述電池本體襯底和所述腐蝕截止層，露出所述n型GaAs歐姆接觸層；

S6：在所述n型GaAs歐姆接觸層表面進行劃分，將其表面劃分為多個形狀為矩形的子單元；

S7：根據一設定的腐蝕圖形，運用光刻工藝在每一子單元表面分別逐層腐蝕掉所述n型GaAs歐姆接觸層、所述帶隙遞減的多結電池以及所述p型GaAs歐姆接觸層，露出所述倒裝太陽能電池外延層上的鍵合金屬層；

S8：在每一子單元表面分別制作正電極和負電極，其中，在未經S7步驟腐蝕過的位置制作負電極，在經S7步驟腐蝕過的位置制作正電極，其中，所述負電極包括兩個相互平行的主柵和多個與所述主柵垂直的副柵；

S9：去除每一子單元中多個所述副柵之間的n型GaAs歐姆接觸層；

S10：在每一子單元的表面淀積減反射層；

S11：腐蝕掉每一子單元中正電極表面和主柵表面的減反射層；

S12：將每一子單元分離，得到多個倒裝太陽能電池芯片。

2.根據權利要求1所述的倒裝太陽能電池芯片制造方法，其特征在于，所述電池本體襯底為一n型GaAs襯底。

3.根據權利要求1所述的倒裝太陽能電池芯片制造方法，其特征在于，所述多結電池為三結電池或四結電池。

4.根據權利要求1所述的倒裝太陽能電池芯片制造方法，其特征在于，所述支撐襯底的材質為玻璃、硅或金屬。

5.根據權利要求1所述的倒裝太陽能電池芯片制造方法，其特征在于，所述鍵合金屬層的材質為金。

6.根據權利要求1所述的倒裝太陽能電池芯片制造方法，其特征在于，步驟S7中的腐蝕過程為采用濕法腐蝕工藝進行。

7.根據權利要求1所述的倒裝太陽能電池芯片制造方法，其特征在于，所述正電極、所述主柵和所述副柵的剖面均為等腰梯形。

8.據權利要求1所述的倒裝太陽能電池芯片制造方法，其特征在于，所述腐蝕圖形為矩形。

9.根據權利要求1所述的倒裝太陽能電池芯片制造方法，其特征在于，所述減反射層包括多層氧化物，所述氧化物為以下任意一種：Al₂O₃、Ti₃O₅和SiO₂。

10.根據權利要求1所述的倒裝太陽能電池芯片制造方法，其特征在于，在步驟S11之后S12之前，還包括一將經S1～S11步驟制作的結構置于退火爐中進行熔合的步驟。