[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201410445284.5
• 申請日: 2014-09-03
• 公開（公告）號: CN104578026B
• 公開（公告）日: 2019-08-16
• 發明（設計）人: 巖水守生
• 申請（專利權）人: 富士電機株式會社
• 主分類號: H02H9/04
• 分類號: H02H9/04;H01L27/02
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 宋俊寅

1.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

功率芯片，該功率芯片包括將從電源至負載的供電在導通狀態與斷開狀態之間進行切換的開關元件；

控制芯片，該控制芯片內置有對該功率芯片的開關元件進行控制的控制電路；以及

反接保護電路，該反接保護電路在設置于所述控制芯片的所述電源反接時，將所述功率芯片的開關元件控制成導通狀態，

所述反接保護電路具有：保護用電阻，該保護用電阻插入于所述控制電路及所述電源的正極側之間，抑制所述電源反接時通過所述控制電路的電流，其所述控制電路一側與控制芯片的基板相連接，從而提供基板電位，且該保護用電阻具有第一電阻和第二電阻；以及控制電壓形成電路，在所述電源反接時所述第一電阻與所述第二電阻的連接點的電壓輸入至所述控制電壓形成電路，以形成將所述功率芯片的開關元件控制成導通狀態的控制電壓，

所述控制電壓形成電路包括電壓控制型半導體元件，對于該電壓控制型半導體元件，將所述第一電阻與所述第二電阻的連接點的電壓提供給其柵極端子，并將由所述保護用電阻所形成的所述基板電位輸入至其輸入側端子，在所述控制電壓形成電路中，與所述電壓控制型半導體元件串聯地連接有防逆流用二極管。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

在所述控制電壓形成電路中，與所述電壓控制型半導體元件串聯地連接有第二電壓控制型半導體元件，其中，所述第二電壓控制型半導體元件的溝道與該電壓控制型半導體元件不同。

3.如權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，

在所述第二電壓控制型半導體元件中，柵極端子與輸入側端子短路，背柵極端子與利用控制信號來進行開關控制的第三電壓控制型半導體元件的輸出端子側相連接。

4.如權利要求1至3的任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述反接保護電路具有電荷泵電路，由所述控制電壓形成電路的電壓控制型半導體元件所輸出的控制電壓輸入至所述電荷泵電路，該電荷泵電路的輸出被提供給所述功率芯片。