[發明專利]在3D管芯對管芯堆疊過程中管芯翹曲的解決方案在審
| 申請號: | 201410445219.2 | 申請日: | 2014-06-27 |
| 公開(公告)號: | CN104332444A | 公開(公告)日: | 2015-02-04 |
| 發明(設計)人: | 時華亮;S·E·區;S·阿加阿拉姆;T·N·奧斯本 | 申請(專利權)人: | 英特爾公司 |
| 主分類號: | H01L21/98 | 分類號: | H01L21/98;H01L23/488;H01L25/065 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 鄔少俊;王英 |
| 地址: | 美國加*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 管芯 堆疊 過程 解決方案 | ||
1.一種方法,包括:
在集成電路基板上形成接觸焊盤陣列,所述接觸焊盤陣列包括設置在所述基板的第一區域上的第一多個接觸焊盤和設置在所述基板的第二區域上的第二多個接觸焊盤,其中所述第一多個接觸焊盤中的每一個接觸焊盤的可接觸區域不同于所述第二多個接觸焊盤中的每一個接觸焊盤的可接觸區域;以及
在所述接觸焊盤的所述可接觸區域上沉積焊料。
2.根據權利要求1所述的方法,其中,所述接觸焊盤的所述可接觸區域是由所述接觸焊盤的區域限定的。
3.根據權利要求1和2中任一項所述的方法,其中,沉積焊料包括在所述第一多個接觸焊盤和所述第二多個接觸焊盤中的每一個接觸焊盤上沉積等體積的焊料。
4.根據權利要求1和2中任一項所述的方法,其中,沉積焊料包括在所述第一多個接觸焊盤中的每一個接觸焊盤上沉積第一體積的焊料,以及在所述第二多個接觸焊盤中的每一個接觸焊盤上沉積不同的第二體積的焊料。
5.根據權利要求1和2中任一項所述的方法,其中,所述集成電路基板是第一集成電路基板,所述方法進一步包括通過沉積的焊料將第二集成電路基板耦合到所述第一集成電路基板。
6.一種管芯對管芯堆疊體,其由根據權利要求1-5中任一項所述的方法形成。
7.一種裝置,包括:
集成電路基板,包括具有非平面形狀的主體以及表面,所述表面包括設置在所述基板的第一區域上的第一多個接觸焊盤和設置在所述基板的第二區域上的第二多個接觸焊盤,其中,所述第一多個接觸焊盤中的每一個接觸焊盤的可接觸區域不同于所述第二多個接觸焊盤中的每一個接觸焊盤的可接觸區域,并且所述第一區域被設置在相對于平面的高度尺寸,所述高度尺寸不同于設置所述第二區域的相對于平面的高度尺寸。
8.根據權利要求7所述的裝置,其中,所述接觸焊盤的所述可接觸區域是由所述接觸焊盤的區域限定的。
9.根據權利要求7和8中任一項所述的裝置,其中,所述第一多個接觸焊盤中的每一個接觸焊盤上的焊料體積等于所述第二多個接觸焊盤中的每一個接觸焊盤上的焊料體積。
10.根據權利要求7和8中任一項所述的裝置,其中,所述第一多個接觸焊盤中的每一個接觸焊盤上的焊料體積不等于所述第二多個接觸焊盤中的每一個接觸焊盤上的焊料體積。
11.根據權利要求7和8中任一項所述的裝置,其中,所述集成電路基板包括第一集成電路基板,且所述裝置還包括第二集成電路基板,所述第二集成電路基板包括多個接觸點,所述多個接觸點中的相應接觸點通過一定體積的焊料而被耦合到所述第一多個接觸焊盤和所述第二多個接觸焊盤中的接觸焊盤的可接觸區域,使得所述第一集成電路基板和所述第二集成電路基板以面對面的取向被布置。
12.根據權利要求11所述的裝置,其中,所述第一集成電路基板的所述第二區域與所述第二集成電路基板之間的距離大于所述第一集成電路基板的所述第一區域與所述第二集成電路基板之間的距離。
13.根據權利要求11所述的裝置,還包括封裝基板,其中,所述第一集成電路基板被耦合到所述封裝基板。
14.一種裝置,包括:
第一集成電路基板,其包括設置在所述基板的第一區域上的第一多個接觸焊盤和設置在所述基板的第二區域上的第二多個接觸焊盤,其中所述第一多個接觸焊盤中的每一個接觸焊盤的可接觸區域不同于所述第二多個接觸焊盤中的每一個的可接觸區域;以及
第二集成電路基板,其包括多個接觸點,所述多個接觸點中的相應接觸點通過一定體積的焊料而被耦合到所述第一多個接觸焊盤和所述第二多個接觸焊盤中的接觸焊盤的可接觸區域,使得所述第一集成電路基板和所述第二集成電路基板以面對面的取向被布置。
15.根據權利要求14所述的裝置,其中,所述接觸焊盤的所述可接觸區域是由所述接觸焊盤的區域限定的。
16.根據權利要求14和15中任一項所述的裝置,其中,所述第一多個接觸焊盤中的每一個接觸焊盤上的焊料體積等于所述第二多個接觸焊盤中的每一個接觸焊盤上的焊料體積。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





