[發(fā)明專利]一種低溫多晶硅薄膜的制備機構(gòu)及方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410444447.8
• 申請日: 2014-09-03
• 公開（公告）號: CN104241173B
• 公開（公告）日: 2017-01-25
• 發(fā)明（設計）人: 李嘉
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產(chǎn)權(quán)事務所(普通合伙)44300
• 代理人: 黃威

【技術(shù)領域】

本發(fā)明涉及液晶顯示面板制造技術(shù)領域，特別涉及一種低溫多晶硅薄膜的制備機構(gòu)及方法。

【背景技術(shù)】

在液晶顯示面板制造行業(yè)中，低溫多晶硅技術(shù)(LTPS，Low?Temperature?Poly-silicon)由于擁有更好的電子遷移率，逐步成為液晶顯示面板技術(shù)革新的方向。

低溫多晶硅技術(shù)的制程中，在激光退火處理之前，玻璃基板上是非晶硅，其需要經(jīng)過清洗劑(如氫氟酸HF)進行清洗，將玻璃基板表面的硅膜洗干凈，其中氫氟酸用于將玻璃基板上的毛刺洗掉，玻璃基板經(jīng)過氫氟酸清洗劑清洗完后，使用清潔干燥的空氣(CDA，Clean?Dry?Air)將玻璃基板上的藥液吹掉，并且在在氫氟酸清洗后玻璃基板表層會形成一層氧化膜，最后進行激光退火爐處理，在玻璃基板上形成多晶硅，即形成低溫多晶硅薄膜。

可是在實踐中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有的低溫多晶硅的制程中，由于氧化膜不均勻或者激光退火過程中形成了較大的突起物，從而導致制備出來的低溫多晶硅薄膜表面粗糙度高，結(jié)晶效果不佳。

【發(fā)明內(nèi)容】

本發(fā)明的目的在于提供一種低溫多晶硅薄膜的制備機構(gòu)及方法，旨在降低制備出來的低溫多晶硅薄膜的表面粗糙度，改善結(jié)晶效果。

為解決上述問題，本發(fā)明實施例的技術(shù)方案如下：

一種低溫多晶硅薄膜的制備機構(gòu)，其種所述制備機構(gòu)包括：

一基板清洗槽，用于對玻璃基板進行清洗；

一臭氧氣體生成裝置，用于生成臭氧氣體；

一氣體傳輸管，包括輸入端和輸出端，所述輸入端與所述臭氧氣體生成裝置相連，所述輸出端與所述基板清洗槽相連，并連接至所述基板清洗槽內(nèi)的玻璃基板的上方；

其中，當玻璃基板在所述基板清洗槽進行清洗后，所述氣體傳輸管用于將所述臭氧氣體生成裝置生成的臭氧氣體向所述基板清洗槽內(nèi)傳輸，以在清洗后的玻璃基板表面吹出臭氧氣體；

一激光退火處理裝置，用于對玻璃基板進行激光退火處理，以在玻璃基板的表面形成低溫多晶硅薄膜。

在上述低溫多晶硅薄膜的制備機構(gòu)中，所述氣體傳輸管的輸出端設置有風刀，所述風刀包括風刀進氣口和風刀出氣口，所述風刀出氣口與所述玻璃基板平行設置，以在玻璃基板表面均勻吹出臭氧氣體。

在上述低溫多晶硅薄膜的制備機構(gòu)中，所述風刀出氣口的寬度大于所述玻璃基板的寬度。

在上述低溫多晶硅薄膜的制備機構(gòu)中，所述風刀出氣口為兩個以上出氣孔均勻設置。

在上述低溫多晶硅薄膜的制備機構(gòu)中，兩個所述出氣孔之間的間隙為0.3mm至0.8mm。

在上述低溫多晶硅薄膜的制備機構(gòu)中，所述基板清洗槽中設置有用于傳送玻璃基板的傳送裝置。

為解決上述問題，本發(fā)明實施例還提供技術(shù)方案如下：

一種低溫多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，包括：

在玻璃基板進行激光退火處理前，使用清洗液對所述玻璃基板進行清洗；

在清洗后的玻璃基板的表面，均勻吹臭氧氣體，以除去所述玻璃基板的表面的殘留液體，并在所述清洗后的玻璃基板的表面形成氧化膜；以及

對形成氧化膜的玻璃基板進行激光退火處理，在激光退火處理的玻璃基板的表面形成低溫多晶硅薄膜。

在上述低溫多晶硅薄膜的制備方法中，所述在清洗后的玻璃基板的表面，均勻吹臭氧氣體的步驟，包括：對清洗后的玻璃基板進行水平移動，并在移動的同時利用風刀在清洗后的玻璃基板的表面，均勻吹臭氧氣體。

在上述低溫多晶硅薄膜的制備方法中，所述清洗液為氫氟酸HF。

相對現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明提供的低溫多晶硅薄膜的制備機構(gòu)及方法，其中，制備機構(gòu)中的基板清洗槽通過氣體傳輸管直接與臭氧氣體生成裝置連接，不僅可以將清洗后的玻璃基板表面的殘留藥液吹掉，還可以讓清洗后的玻璃基板直接接觸臭氧氣體，使得玻璃基板表面的硅膜更加平滑無雜質(zhì)，經(jīng)過氫氟酸后第一時間接觸臭氧氣體使表面形成的氧化膜更加均勻，從而使激光退火處理得到的低溫多晶硅薄膜的結(jié)晶效果更加優(yōu)異；并且，所述制備機構(gòu)設計簡單，大大的節(jié)省了制備成本。

【附圖說明】

下面結(jié)合附圖，通過對本發(fā)明的具體實施方式詳細描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見。

圖1為本發(fā)明提供的低溫多晶硅薄膜的制備機構(gòu)的示意圖；

圖2為本發(fā)明提供的低溫多晶硅薄膜的制備機構(gòu)的另一示意圖；

圖3為本發(fā)明提供的低溫多晶硅薄膜的制備機構(gòu)的另一示意圖；

圖4為本發(fā)明提供的低溫多晶硅薄膜的制備方法的流程示意圖。

【具體實施方式】