[發(fā)明專利]OTP存儲(chǔ)單元、OTP存儲(chǔ)單元的制作方法及芯片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410443812.3
• 申請(qǐng)日: 2014-09-02
• 公開（公告）號(hào): CN105374822B
• 公開（公告）日: 2018-10-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 余達(dá)強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/112
• 分類號(hào): H01L27/112;H01L21/8246
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 吳貴明;張永明

1.一種OTP存儲(chǔ)單元，包括設(shè)置于襯底上的有源區(qū)，設(shè)置于所述有源區(qū)上的選擇柵結(jié)構(gòu)，與所述選擇柵結(jié)構(gòu)平行地設(shè)置于所述有源區(qū)上的浮柵結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述OTP存儲(chǔ)單元還包括：覆蓋所述有源區(qū)的裸露表面的控制柵層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OTP存儲(chǔ)單元，其特征在于，

所述選擇柵結(jié)構(gòu)的兩端和所述浮柵結(jié)構(gòu)的兩端延伸至所述有源區(qū)之外；

所述控制柵層覆蓋在所述有源區(qū)的裸露表面和位于所述有源區(qū)之外的所述襯底上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OTP存儲(chǔ)單元，其特征在于，

所述選擇柵結(jié)構(gòu)包括沿遠(yuǎn)離所述有源區(qū)的方向上依次設(shè)置的選擇柵氧化物層和選擇柵材料層，以及設(shè)置于所述選擇柵氧化物層的側(cè)壁和所述選擇柵材料層的側(cè)壁上的選擇柵側(cè)壁層；

所述浮柵結(jié)構(gòu)包括沿遠(yuǎn)離所述有源區(qū)的方向上依次設(shè)置的浮柵氧化物層和浮柵材料層，以及設(shè)置于所述浮柵氧化物層的側(cè)壁和所述浮柵材料層的側(cè)壁上的浮柵側(cè)壁層；

所述控制柵層覆蓋在所述選擇柵側(cè)壁層、所述浮柵側(cè)壁層和所述有源區(qū)的裸露表面上。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的OTP存儲(chǔ)單元，其特征在于，所述選擇柵材料層、所述浮柵材料層和所述控制柵層的材料為多晶硅。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的OTP存儲(chǔ)單元，其特征在于，所述OTP存儲(chǔ)單元還包括：覆蓋所述浮柵結(jié)構(gòu)的自對(duì)準(zhǔn)硅化物阻擋層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的OTP存儲(chǔ)單元，其特征在于，所述OTP存儲(chǔ)單元還包括：設(shè)置于所述選擇柵結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述浮柵結(jié)構(gòu)一側(cè)的有源區(qū)中的源極，設(shè)置于所述浮柵結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述選擇柵結(jié)構(gòu)一側(cè)的有源區(qū)中的漏極，以及分別與所述控制柵層、所述選擇柵結(jié)構(gòu)、所述源極和所述漏極相連設(shè)置的接觸插塞。

7.一種OTP存儲(chǔ)單元的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供具有有源區(qū)的襯底；

在所述有源區(qū)上形成選擇柵結(jié)構(gòu)和平行于所述選擇柵結(jié)構(gòu)的浮柵結(jié)構(gòu)；

形成覆蓋所述有源區(qū)的裸露表面的控制柵層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作方法，其特征在于，

形成所述選擇柵結(jié)構(gòu)的步驟中，形成包括沿遠(yuǎn)離所述有源區(qū)的方向上依次設(shè)置的選擇柵氧化物層和選擇柵材料層，以及位于所述選擇柵氧化物層的側(cè)壁和所述選擇柵材料層的側(cè)壁上的選擇柵側(cè)壁層的所述選擇柵結(jié)構(gòu)；

形成所述浮柵結(jié)構(gòu)的步驟中，形成包括沿遠(yuǎn)離所述有源區(qū)的方向上依次設(shè)置的浮柵氧化物層和浮柵材料層，以及位于所述浮柵氧化物層的側(cè)壁和所述浮柵材料層的側(cè)壁上的浮柵側(cè)壁層的所述浮柵結(jié)構(gòu)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制作方法，其特征在于，形成所述選擇柵結(jié)構(gòu)和所述浮柵結(jié)構(gòu)的步驟包括：

在所述襯底上沿遠(yuǎn)離所述襯底的方向上依次沉積氧化物層、第一柵極材料層和掩膜材料層；

刻蝕所述掩膜材料層、所述第一柵極材料層和所述氧化物層，以形成掩膜層、所述選擇柵氧化物層、所述選擇柵材料層、所述浮柵氧化物層和所述浮柵材料層；

在所述選擇柵氧化物層的側(cè)壁和所述選擇柵材料層的側(cè)壁上形成選擇柵側(cè)壁層，并在所述浮柵氧化物層的側(cè)壁和所述浮柵材料層的側(cè)壁上形成浮柵側(cè)壁層。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制作方法，其特征在于，形成所述控制柵層的步驟包括：

形成覆蓋所述選擇柵結(jié)構(gòu)、所述浮柵結(jié)構(gòu)和所述襯底的裸露表面的第二柵極材料層；

刻蝕所述第二柵極材料層，以形成覆蓋在所述選擇柵側(cè)壁層、所述浮柵側(cè)壁層和所述有源區(qū)的裸露表面上的所述控制柵層；

去除剩余所述掩膜層。