[發明專利]可攜式裝置及其集成電路的封裝結構、封裝體與封裝方法

有效

• 申請號: 201410443444.2
• 申請日: 2014-09-03
• 公開（公告）號: CN105280578B
• 公開（公告）日: 2018-06-01
• 發明（設計）人: 溫兆均;李興武
• 申請（專利權）人: 力智電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 中國商標專利事務所有限公司 11234
• 代理人: 宋義興

1.一種集成電路的封裝體，其特征在于，上述集成電路的封裝體包括：

一晶粒，具有一接觸部、一切割邊界保留部與一密封環，其中上述密封環位于上述接觸部與上述切割邊界保留部之間；以及

一冶金層，設置于上述接觸部上且至少有一部分設置于上述密封環之上，且上述冶金層的外側邊緣與上述切割邊界保留部的外側邊緣之間的一距離介于0至54微米(μm)之間。

2.如權利要求1所述的集成電路的封裝體，其特征在于，上述切割邊界保留部具有一預設寬度，且上述冶金層至少有一部分設置于上述切割邊界保留部之上。

3.如權利要求2所述的集成電路的封裝體，其特征在于，上述預設寬度為10微米(μm)。

4.如權利要求1所述的集成電路的封裝體，其特征在于，上述冶金層包括一可焊層，上述可焊層被涂布一錫膏，以耦接一載板上的一焊墊。

5.一種集成電路的封裝結構，其特征在于，上述集成電路的封裝結構包括：

一集成電路的封裝體，包括：

一晶粒，具有一接觸部、一切割邊界保留部與一密封環，其中上述密封環位于上述接觸部與上述切割邊界保留部之間；以及

一冶金層，設置于上述接觸部上且上述冶金層至少有一部分設置于上述密封環之上，上述冶金層包括涂布有一錫膏的一可焊層，且上述冶金層的外側邊緣與上述切割邊界保留部的外側邊緣之間的一距離介于0至54微米(μm)之間；以及

一載板，包括一焊墊，上述焊墊耦接涂布有上述錫膏的上述可焊層。

6.如權利要求5所述的集成電路的封裝結構，其特征在于，上述切割邊界保留部具有一預設寬度，且上述冶金層至少上述部分設置于上述切割邊界保留部之上。

7.如權利要求6所述的集成電路的封裝結構，其特征在于，上述預設寬度為10微米(μm)。

8.如權利要求5所述的集成電路的封裝結構，其特征在于，上述焊墊的面積大于涂布有上述錫膏的上述可焊層的面積。

9.一種可攜式裝置，其特征在于，上述可攜式裝置包括：

一電路板；以及

一集成電路的封裝體，包括：

一晶粒，具有一接觸部、一切割邊界保留部與一密封環，其中上述密封環位于上述接觸部與上述切割邊界保留部之間；以及

一冶金層，設置于上述接觸部上且至少有一部分設置于上述密封環之上，上述冶金層包括涂布有一錫膏的一可焊層，其中上述封裝體通過涂布有上述錫膏的上述可焊層耦接上述電路板，且上述冶金層的外側邊緣與上述切割邊界保留部的外側邊緣之間的一距離介于0至54微米(μm)之間。

10.如權利要求9所述的可攜式裝置，其特征在于，上述切割邊界保留部具有一預設寬度，且上述冶金層至少有一部分設置于上述切割邊界保留部之上。

11.如權利要求10所述的可攜式裝置，其特征在于，上述預設寬度為10微米(μm)。

12.一種集成電路的封裝方法，其特征在于，上述集成電路的封裝方法包括下列步驟：

(a)提供一晶粒，上述晶粒具有一接觸部、一切割邊界保留部與一密封環，上述密封環位于上述接觸部與上述切割邊界保留部之間；以及

(b)設置一冶金層于上述晶粒的上述接觸部上，其中上述冶金層至少有一部分設置于上述密封環之上，且上述冶金層的外側邊緣與上述切割邊界保留部的外側邊緣之間的一距離介于0至54微米(μm)之間。

13.如權利要求12所述的集成電路的封裝方法，其特征在于，上述切割邊界保留部具有一預設寬度，且上述冶金層至少有一部分設置于上述切割邊界保留部之上。

14.如權利要求13所述的集成電路的封裝方法，其特征在于，上述預設寬度為10微米(μm)。