[發明專利]一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 201410443430.0 | 申請日: | 2014-09-02 |
| 公開(公告)號: | CN104218042B | 公開(公告)日: | 2017-06-09 |
| 發明(設計)人: | 蔡振飛;陳正偉;宋星星 | 申請(專利權)人: | 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L23/50;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 230011 安徽省合肥*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板,包括位于顯示區域的多條橫縱交叉的柵線和數據線,其特征在于,還包括位于非顯示區域的第一短接環或第二短接環,以及分別與所述第一短接環、所述第二短接環電連接的第一數據引線、第二數據引線;
所述第一數據引線與所述柵線同層同材料設置,用于將所述第一短接環與第一列數據線電連接;
所述第二數據引線與所述數據線同層同材料設置,用于將所述第二短接環與第二列數據線電連接;
其中,所述第一列數據線與所述第二列數據線間隔設置;
所述第一短接環與所述柵線同層同材料設置;所述第二短接環與所述數據線同層同材料設置。
2.一種陣列基板,包括位于顯示區域的多條橫縱交叉的柵線和數據線,其特征在于,還包括位于非顯示區域的第一短接環或第二短接環,以及分別與所述第一短接環、所述第二短接環電連接的第一數據引線、第二數據引線;
所述第一數據引線與所述柵線同層同材料設置,用于將所述第一短接環與第一列數據線電連接;
所述第二數據引線與所述數據線同層同材料設置,用于將所述第二短接環與第二列數據線電連接;
其中,所述第一列數據線與所述第二列數據線間隔設置;
所述第一短接環和所述第二短接環與所述柵線同層同材料設置;
或,
所述第一短接環和所述第二短接環與所述數據線同層同材料設置。
3.根據權利要求1-2任一項所述的陣列基板,其特征在于,在設置有所述數據線的基板表面設置有鈍化層的情況下,所述陣列基板還包括:
位于所述鈍化層表面對應所述第一數據引線位置的第一過孔;
位于所述鈍化層表面對應所述第一列數據線位置的第二過孔;
以及位于所述第一過孔、所述第二過孔表面用于將所述第一數據引線與所述第一列數據線相連接的連接線。
4.根據權利要求3所述的陣列基板,其特征在于,還包括位于所述鈍化層表面的透明電極層,所述連接線與所述透明電極層同層同材料。
5.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權利要求1-4任一項所述的陣列基板。
6.一種陣列基板的制備方法,其特征在于,包括:
在襯底基板上形成柵極金屬層,通過一次構圖工藝形成柵線、第一數據引線,以及第一短接環的圖案;
在形成有上述結構的基板表面形成柵極絕緣層、半導體有源層、源漏金屬層,通過一次構圖工藝形成數據線、第二數據引線,以及第二短接環的圖案;
其中,第一列數據線與第二列數據線間隔設置;
將所述第一短接環與所述第一數據引線電連接,所述第一列數據線與所述第一數據引線電連接;
將所述第二短接環與所述第二數據引線電連接。
7.一種陣列基板的制備方法,其特征在于,包括:
在襯底基板上形成柵極金屬層,通過一次構圖工藝形成柵線、第一數據引線,以及第一短接環和第二短接環的圖案;
或,
在形成有柵線、第一數據引線的圖案的基板表面形成柵極絕緣層、半導體有源層、源漏金屬層,通過一次構圖工藝形成數據線、第二數據引線,以及第一短接環和第二短接環的圖案;
其中,第一列數據線與第二列數據線間隔設置;
將所述第一短接環與所述第一數據引線電連接,所述第一列數據線與所述第一數據引線電連接;
將所述第二短接環與所述第二數據引線電連接。
8.根據權利要求6至7任一項所述的陣列基板的制備方法,其特征在于,所述第一列所述數據線與所述第一數據引線電連接的方法包括:
在形成有所述數據線、所述第二數據引線的基板表面形成鈍化層;
在所述鈍化層的表面對應所述第一數據引線位置的形成第一過孔;
在所述鈍化層的表面對應所述第一列數據線位置的形成第二過孔;
在所述第一過孔和所述第二過孔的表面形成用于將所述第一數據引線與所述第一列數據線相連接的連接線。
9.根據權利要求8所述的陣列基板的制備方法,其特征在于,所述在所述第一過孔和所述第二過孔的表面形成用于將所述第一數據引線與所述第一列數據線相連接的連接線的方法包括:
在所述鈍化層表面形成透明電極層,通過一次構圖工藝形成所述連接線與所述透明電極層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





