[發明專利]檢測半導體襯底出現階梯演變異常的方法

在審

• 申請號: 201410443373.6
• 申請日: 2014-09-02
• 公開（公告）號: CN104198495A
• 公開（公告）日: 2014-12-10
• 發明（設計）人: 何理;許向輝
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G01N21/88
• 分類號: G01N21/88
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 王宏婧

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種檢測半導體襯底出現階梯演變異常的方法。

背景技術

隨著半導體工藝技術的進步，半導體襯底的缺陷異常已經成為影響半導體芯片的良率的重要因素。目前本領域檢測半導體異常的方法是使用相鄰半導體芯片比較(die?to?die，所述芯片為單元芯片，每一單元芯片包括若干像素)，通過比較可以發現半導體芯片上的異常。參考圖1所示的現有的檢測半導體異常的方法的原理示意圖，待檢測芯片1與該待檢測芯片1的臨近芯片2兩者之間進行比較，具有缺陷3，則認為待測芯片1相比臨近芯片2而言，具有缺陷。

但是上述相鄰半導體芯片比較的方法對于半導體襯底中出現階梯演變異常的情況存在限制。例如從半導體襯底的中心向半導體襯底的邊緣，半導體芯片的特征尺寸漸變，直至半導體芯片的特征尺寸超過工藝標準可接受的范圍。

這樣的階梯演變異常的缺陷采用現有的臨近半導體芯片比較難以發現。為了發現上述接階梯演變異常異常的缺陷，現有技術采用掃描機臺的掃描程序的參數進行設定，比如將掃描程序的異常標準范圍縮小，以盡可能多得發現階梯演變異常，但是，這也會導致由于異常標準范圍小導致錯誤缺陷干擾。影響正常的缺陷掃描程序。

因此，需要一種方法，能夠檢測半導體襯底出現階梯演變異常。

發明內容

本發明解決的問題提供一種方法，能夠檢測半導體襯底出現階梯演變異常的缺陷，并且不會影響正常的缺陷掃描程序。

為解決上述問題，本發明提供一種檢測半導體襯底出現階梯演變異常的方法，包括：

獲得標準的半導體襯底的數字化特征值；

將所述標準的半導體襯底的數字化特征值存儲至缺陷掃描機臺，并設置最大允許偏差值；

利用缺陷掃描機臺對待檢測的半導體襯底中的待檢測的半導體芯片的特征值與所述數字化特征值進行比較，若所述待檢測半導體芯片的特征值與所述數字化特征值之間的差異超過所述最大允許偏差值，則認為所述待檢測半導體芯片出現異常。

可選地，在利用缺陷掃描機臺對所述待檢測的半導體襯底中的待檢測的半導體芯片的特征值與所述數字化特征值比較之前，還包括：將所述待檢測的半導體芯片與相鄰的半導體芯片進行檢測的步驟。

可選地，所述標準的半導體襯底的數字化特征的獲得方法包括：

創建半導體襯底的標準工藝流程；

對標準的半導體襯底進行所述標準工藝流程，在標準工藝流程過程中收集每一標準的半導體襯底上多個位置的半導體芯片的特征值；

將所述不同標準半導體襯底中同一位置的特征值中異常的數值去除去除，所述異常數值為超過標準設定數值的20％的數值；

對剩余的同一位置的特征值計算平均值，所述平均值即為標準的半導體芯片的數字化特征值。

可選地，所述半導體芯片為圖像顯示芯片，所述數字化特征值為像素值，像素值為的范圍為0-255。

可選地，所述標準的半導體襯底為特征尺寸符合工藝要求的半導體襯底。

可選地，所述標準的半導體襯底的數目不小于50個。

與現有技術相比，本發明具有以下優點：

本發明提供的方法通過對將標準的半導體襯底的獲得標準的半導體襯底的數字化特征值與待檢測的半導體襯底中的待檢測的半導體芯片的特征值進行比較，根據比較結果可以判斷待檢測半導體芯片是否出現異常。

并且，本發明的方法可以與現有的相鄰半導體芯片比較的方法結合，在將待檢測的半導體襯底中的待檢測半導體芯片的特征值進行比較之前，可以利用現有的相鄰半導體芯片比較的方法，將所述半導體襯底中的待檢測的半導體芯片與其相鄰的半導體芯片進行比較，從而既不影響相鄰半導體芯片比較的方法的進行，同時也能有效檢測半導體襯底出現階梯演變異常的缺陷。

附圖說明

圖1是現有的檢測半導體異常的方法的原理示意圖；

圖2是本發明一個實施例的檢測半導體襯底出現階梯演變異常的方法。

具體實施方式