[發(fā)明專利]改善半導(dǎo)體器件一體化刻蝕殘留缺陷的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410443196.1 | 申請日： | 2014-09-02 |
| 公開（公告）號： | CN104241097A | 公開（公告）日： | 2014-12-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 高騰飛;張頌周;任昱;呂煜坤;朱駿;張旭升 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 改善 半導(dǎo)體器件 一體化 刻蝕 殘留 缺陷 方法 | ||
1.一種改善半導(dǎo)體器件一體化刻蝕殘留缺陷的方法，其特征在于，包括：
提供半導(dǎo)體器件，并對該半導(dǎo)體器件表面進行一體化刻蝕處理以形成金屬互連層；
對上述半導(dǎo)體器件進行高溫?zé)o電漿的灰化工藝清除金屬互連層中的殘留缺陷；
通入混合氣體以保護金屬互連層表面的銅。
2.如權(quán)利要求1所述的改善半導(dǎo)體器件一體化刻蝕殘留缺陷的方法，其特征在于，所述高溫?zé)o電漿的灰化工藝中采用的溫度范圍為300-500攝氏度。
3.如權(quán)利要求1所述的改善半導(dǎo)體器件一體化刻蝕殘留缺陷的方法，其特征在于，所述高溫?zé)o電漿的灰化工藝中采用的氣壓為0.01～0.1T。
4.如權(quán)利要求1所述的改善半導(dǎo)體器件一體化刻蝕殘留缺陷的方法，其特征在于，所述混合氣體采用氫氣與氮氣的混合氣體。
5.如權(quán)利要求4所述的改善半導(dǎo)體器件一體化刻蝕殘留缺陷的方法，其特征在于，所述混合氣體中的氫氣含量占20％～80％。
6.如權(quán)利要求4所述的改善半導(dǎo)體器件一體化刻蝕殘留缺陷的方法，其特征在于，所述混合氣體中的氮氣含量占20％～80％。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海華力微電子有限公司，未經(jīng)上海華力微電子有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410443196.1/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
