[發(fā)明專利]互補金屬氧化物半導體器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410442976.4
• 申請日: 2014-09-02
• 公開（公告）號: CN104425492B
• 公開（公告）日: 2019-03-22
• 發(fā)明（設計）人: 梁炆承;穆罕默德·拉基布·烏丁;李明宰;李商文;李成訓;趙成豪
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L21/8249
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權代理有限公司 11112
• 代理人: 陳源;張帆

1.一種制造互補金屬氧化物半導體器件的方法，所述方法包括步驟：

在硅襯底上直接形成緩沖層，所述緩沖層包括第IV主族材料和第Ⅲ-Ⅴ主族材料中的至少一種；

在所述緩沖層上形成n型晶體管的材料層；

對所述n型晶體管的所述材料層進行刻蝕以形成n型晶體管的第一層和第一圖案，所述第一層是所述n型晶體管的溝道層；

在所述第一層和第一圖案上形成絕緣層；

對所述絕緣層進行刻蝕以形成用于選擇性生長的第二圖案；以及

在所述第二圖案中選擇性地生長p型晶體管的第二層，以使得所述第二層與所述緩沖層或所述硅襯底接觸，所述第二層是所述p型晶體管的溝道層。

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述緩沖層包括銦(In)、鎵(Ga)、鋁(Al)中的至少一種以及砷(As)、磷(P)、銻(Sb)中的至少一種。

3.根據(jù)權利要求2所述的方法，其中所述緩沖層由InP、InAs、InSb、GaAs、GaP、GaSb、AlP、AlAs、AlSb、InAlAs、InGaP、GaAsP、InGaAsP和InGaAlAs中的至少一種形成。

4.根據(jù)權利要求2所述的方法，其中所述緩沖層摻雜有n型摻雜物。

5.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述緩沖層由SiGe、GeSn和鍺(Ge)中的至少一種形成。

6.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述第一層由第Ⅲ-Ⅴ主族材料形成。

7.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述第一層由InGaAs、InP、InSb、InGaSb、GaSb和InAs中的至少一種形成。

8.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述第二層由第Ⅳ主族材料形成。

9.根據(jù)權利要求8所述的方法，其中所述第二層由鍺(Ge)形成。

10.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述n型晶體管包括n型金屬氧化物半導體場效應晶體管。

11.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述p型晶體管包括p型金屬氧化物半導體場效應晶體管。

12.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中形成所述第一圖案的步驟包括刻蝕所述材料層以暴露出所述緩沖層的一部分。

13.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中形成所述第一圖案的步驟包括刻蝕所述材料層以暴露出所述硅襯底。

14.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述絕緣層由氧化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜形成。

15.一種制造互補金屬氧化物半導體器件的方法，所述方法包括步驟：

在襯底上直接形成緩沖層，所述緩沖層包括第IV主族材料和第Ⅲ-Ⅴ主族材料中的至少一種；

在所述緩沖層上形成第一材料層，所述第一材料包含第Ⅲ-Ⅴ主族材料；

刻蝕所述第一材料層以形成第一層和第一圖案；

在所述第一層和所述第一圖案上形成絕緣層；

刻蝕所述絕緣層以形成第二圖案；以及

在所述第二圖案中選擇性地生長第二材料層，所述第二材料層包含第Ⅳ主族材料，以使得所述第二材料層與所述緩沖層或所述襯底接觸，通過刻蝕所述第二材料層來形成晶體管的溝道層。

16.根據(jù)權利要求15所述的方法，其中：

所述第一材料層包含InGaAs、InP、InGaSb、GaSb、InAs、GaAs和InSb中的至少一種；以及

所述第二材料層包含Ge。

17.根據(jù)權利要求16所述的方法，其中所述選擇性地生長第二材料層的步驟包括在所述緩沖層上生長所述第二材料層。