[發(fā)明專利]一種垂直結構發(fā)光二級管顯示陣列的制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410442830.X
• 申請日: 2014-09-02
• 公開（公告）號: CN104183586B
• 公開（公告）日: 2017-04-05
• 發(fā)明（設計）人: 劉立莉;薛斌;裴艷榮;盧鵬志;于飛;楊華;李璟;伊曉燕;王軍喜;李晉閩
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L33/48;G09F9/33
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司11021
• 代理人: 宋焰琴

1.一種垂直結構發(fā)光二極管全彩陣列的制作方法，其包括如下步驟：

步驟1：在一基板上制作用于連接發(fā)光二極管陣列的電路和用于焊接發(fā)光二極管的金屬凸點；其中，所述發(fā)光二極管陣列在所述基板上由多個最小單元組合而成，每個最小單元中制作有三個金屬凸點和一個公共焊點，所述三個金屬凸點分別由三條平行的電路引出，所述公共焊點由于所述三條平行的電路垂直的一條電路引出；

步驟2：將垂直結構發(fā)光芯片的第二電極固定在基板的相應金屬凸點上，形成電連接；

步驟3：將垂直結構芯片的第一電極通過固定在基板上的公共焊點上，形成電連接；

步驟4：在垂直結構芯片上方整面涂膠，將發(fā)光二極管陣列整體封裝在基板上。

2.根據(jù)權利要求1所述的垂直結構發(fā)光二極管全彩陣列的制作方法，其特征在于，制作在最小單元內的三顆垂直結構芯片是三色芯片或者單色芯片。

3.根據(jù)權利要求1所述的垂直結構發(fā)光二極管全彩陣列的制作方法，其特征在于，所述三條平行電路與所述垂直于三條平行電路的電路在彼此交疊區(qū)域相互絕緣。

4.根據(jù)權利要求2所述的垂直結構發(fā)光二極管全彩陣列的制作方法，其特征在于，所述三顆垂直結構芯片為單色芯片，則所述制作方法還包括對所述三顆垂直結構芯片進行多色熒光粉涂覆的步驟。

5.根據(jù)權利要求1所述的垂直結構發(fā)光二極管全彩陣列的制作方法，其特征在于，所述垂直結構發(fā)光二極管全彩陣列的不同最小單元之間，位于同一行的垂直結構芯片的第二電極連接至同一條電路，位于同一列的垂直結構芯片的第一電極通過公共焊點連接至同一條電路。

6.根據(jù)權利要求1所述的垂直結構發(fā)光二極管全彩陣列的制作方法，其特征在于，所述垂直結構發(fā)光二極管全彩陣列的不同最小單元之間，位于同一列的垂直結構芯片的第二電極連接至同一條電路，位于同一行的垂直結構芯片的第一電極通過公共焊點連接至同一條電路。