[發明專利]一種閾值電壓可調的薄膜晶體管

在審

• 申請號: 201410442648.4
• 申請日: 2014-09-03
• 公開（公告）號: CN104183649A
• 公開（公告）日: 2014-12-03
• 發明（設計）人: 黃曉東;黃見秋
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/423
• 代理公司: 南京瑞弘專利商標事務所(普通合伙) 32249
• 代理人: 楊曉玲

1.一種閾值電壓可調的薄膜晶體管，其特征在于，包括襯底（10）、設在襯底（10）上的第一柵極（11），設在襯底（10）上并且覆蓋第一柵極（11）的第一柵氧化層（12），設在第一柵氧化層（12）上的溝道層（13），設在溝道層（13）上相對兩側的源極（14）、漏極（15），設在溝道層（13）上以及源極（14）、漏極（15）上的隧穿層（21），設在隧穿層（21）上的存儲層（22），設在存儲層（22）上的阻擋層（23），以及設在阻擋層（23）上的第二柵極（17），所述第二柵極（17）位于第一柵極（11）正上方。

2.根據權利1所述的閾值電壓可調的晶體管，其特征在于，所述的隧穿層（21）為厚度在3?nm～15?nm的二氧化硅。

3.根據權利1所述的閾值電壓可調的晶體管，其特征在于，所述的存儲層（22）為厚度在2?nm～10?nm的氮化硅、二氧化鉿或氮氧化鉿。

4.根據權利1所述的閾值電壓可調的晶體管，其特征在于，所述的阻擋層（23）為厚度在10?nm～50?nm的三氧化二鋁。