[發明專利]發光二極管晶粒及其制造方法

有效

• 申請號: 201410442016.8
• 申請日: 2014-09-02
• 公開（公告）號: CN105449061B
• 公開（公告）日: 2017-12-05
• 發明（設計）人: 黃嘉宏;邱鏡學;楊順貴;凃博閔;黃世晟
• 申請（專利權）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20;H01L33/14;H01L33/00
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司44334
• 代理人: 謝志為

技術領域

本發明涉及半導體晶粒結構，尤其涉及一種發光二極管晶粒，還涉及一種發光二極管晶粒的制造方法。

背景技術

現有的水平式發光二極管(Light Emitting Diode, LED)晶粒包括基板、在基板上生長的半導體發光結構以及兩電極。因為藍寶石基板不具有導電性，所以通常將N極和P極電極鍍在同一側，并由此形成水平式結構。

然而當水平式發光二極管晶粒的P極至N極注入電流時，因電流的電性特性，同側的兩電極間的電流往往走最短的距離，導致所述電流集中在具有較短路徑的通道上。從而導致發光二極管晶粒出光不均勻，進而影響發光二極管晶粒的出光效果。為了達到均勻電路的目的，業界通常采用在N極及P極上設置間隔的金屬延伸電極，然而，所述金屬延伸電極通常因遮蓋出光面而導致發光二極管晶粒的出光效率低下。

發明內容

有鑒于此，有必要提供一種出光效率高的發光二極管晶粒及其制造方法。

一種發光二極管晶粒，包括基板、依次形成在基板上表面的第一半導體層、有源層、第二半導體層及透明導電層，第一電極以及第二電極分別形成在第一半導體層及透明導電層上，所述第一半導體層上開設有多個間隔的凹槽，所述凹槽的深度沿遠離第一電極的方向依次變小，所述透明導電層包括多個穿設在第二半導體層中、且分別與第一半導體層的凹槽對應的間隔設置的延伸部，所述延伸部的導電能力沿靠近第二電極的方向依次變小。

一種發光二極管晶粒的制造方法，包括以下步驟：

提供基板，并在基板上依次生長第一半導體層、有源層及第二半導體層，并分別在第一半導體層及第二半導體層形成第一電極及第二電極，所述第一電極及第二電極分別位于發光二極管晶粒的相對兩側，所述第一半導體層上開設有多個間隔的凹槽，所述凹槽的深度隨著與第一電極之間的距離變大而變淺；

在第二半導體層上形成間隔設置的多個穿孔組，所述多個穿孔組分別與多個凹槽對應，每一穿孔組的穿孔的深度相等，多個穿孔組的深度沿靠近第二電極的方向依次變小；

在第二半導體層上形成透明導電層，所述透明導電層包括分別填滿所述穿孔組的多個延伸部，所述延伸部的導電能力沿靠近第二電極的方向依次變小。

本發明中，因發光二極管晶粒中，位于有源層上方的且穿設在第二半導體層內的額透明導電層的多個延伸部分別與第一半導體層上的凹槽對應且延伸部的導電能力沿靠近第二電極的方向依次變小，如此，在達到均勻電路的同時，避免了在有源層上方設置遮蓋發光面積的延伸電極，從而達到了提高出光效率的目的。

附圖說明

圖1是本發明中發光二極管晶粒的立體圖。

圖2是圖1中發光二極管晶粒的正視圖。

主要元件符號說明