[發明專利]工藝控制方法與工藝控制系統

有效

• 申請號: 201410441976.2
• 申請日: 2014-09-02
• 公開（公告）號: CN105336646B
• 公開（公告）日: 2018-02-23
• 發明（設計）人: 吳俊達;蕭世宗;陳建中;吳皇衛;陳煌文;彭圣修
• 申請（專利權）人: 力晶科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所11105
• 代理人: 史新宏

1.一種半導體工藝控制方法，適用于對批次的多個晶圓進行沉積工藝，包括：

根據機臺的歷史信息與批次的產品信息來決定批次的晶圓的擺放位置；

根據所述批次的晶圓的擺放位置與所述機臺的歷史信息來求出各擺放位置的目標值；

根據所述機臺的歷史信息、所述批次的產品信息以及所述各擺放位置的目標值來求出工藝參數；以及

根據所述批次的晶圓的擺放位置與所述工藝參數進行沉積工藝。

2.如權利要求1所述的半導體工藝控制方法，其中在根據所述機臺的歷史信息與所述批次的產品信息來決定所述批次的晶圓的擺放位置的步驟中，由式(1)求出最小差異組合，來對批次的晶圓進行位置排序：

min(Σi,j,kL(i)×F(j)×w(k))---(1)]]>

式(1)中，L(i)為各批次在工藝前的特性，F(j)為工藝位置均勻性特性，w(k)為各產品對差異的要求的權重。

3.如權利要求1所述的半導體工藝控制方法，其中，所述晶圓擺放的特定位置L的目標值是由式(2)所算出：

Monitor Target^L＝α+γ(厚度目標值)+β(產品|厚度目標值)(2)

式(2)中，α為特定工藝方法下，監控晶圓的基本沉積厚度值；γ為所有產品在不同目標值下，監控晶圓的沉積厚度的調整值；β為各產品在特定目標值下，產品上沉積厚度的調整值。

4.如權利要求1所述的半導體工藝控制方法，其中所述工藝參數包括依據負載效應關系所求出的加熱區溫度與沉積時間，所述工藝參數先計算沉積時間，再計算加熱區所需溫度。