[發明專利]發光二極管及其制造方法

有效

• 申請號: 201410441937.2
• 申請日: 2014-09-02
• 公開（公告）號: CN105449064B
• 公開（公告）日: 2018-02-23
• 發明（設計）人: 邱鏡學;黃嘉宏;林雅雯;凃博閔;黃世晟
• 申請（專利權）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36;H01L33/02;H01L33/00
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司44334
• 代理人: 汪飛亞

1.一種發光二極管，包括第一電極、第二電極以及磊晶結構，其特征在于：所述磊晶結構設置在所述第一電極上且分別與所述第一電極、第二電極電性連接，所述磊晶結構包括依序設置在所述第一電極的上表面的第一型半導體層、活性層以及第二型半導體層，所述第一型半導體層與所述第一電極的上表面直接接觸，所述第二電極包括基部以及自所述基部的上表面向上延伸的延伸部，所述基部環繞所述第一電極，所述延伸部環繞所述磊晶結構的周緣側面，以反射所述磊晶結構朝向周緣側向的光線并使該反射光線自磊晶結構的頂部出射，其中，所述延伸部的底端的內周緣與所述第一型半導體層外周緣以及所述活性層的外周緣間隔設置，從而形成第二環形槽，所述第二環形槽的高度由所述基部的上表面以及所述第二型半導體層的下表面共同界定，所述第二環形槽的寬度由所述第一型半導體層的外周緣、所述活性層的外周緣以及所述延伸部的底端的內周緣共同界定，所述延伸部的頂端的內周緣與所述第二型半導體層直接接觸。

2.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述基部與所述第一電極之間形成第一環形槽，所述第一環形槽內填充絕緣材料。

3.如權利要求2所述的發光二極管，其特征在于：所述第一電極與所述第一型半導體層電性連接，所述延伸部與所述第二型半導體層電性連接。

4.如權利要求3所述的發光二極管，其特征在于：所述延伸部的內周緣表面與所述第一型半導體層的外周緣以及所述活性層的外周緣之間形成第二環形槽，所述第二環形槽內填充有絕緣層。

5.一種發光二極管的制造方法，其包括：

在透光基板上生長磊晶層，所述磊晶層自上向下至少包括第一型半導體層、活性層以及第二型半導體層；

在所述磊晶層上形成至少貫穿所述第一型半導體層及所述活性層的環形溝槽；

在所述環形溝槽內填充形成絕緣層；

蝕刻所述環形溝槽周緣外側的磊晶層以形成多個間隔設置的磊晶結構，所述磊晶結構之間形成間隔設置且貫穿所述磊晶層的溝道；

在所述溝道內形成覆蓋所述磊晶結構周緣側面的導電層作為第二電極，所述第二電極包括基部以及自所述基部的上表面向上延伸的延伸部，所述延伸部的底端的內周緣與所述第一型半導體層的外周緣以及所述活性層的外周緣間隔設置，從而形成第二環形槽，所述第二環形槽的高度由所述基部的上表面以及所述第二型半導體層的下表面共同界定，所述第二環形槽的寬度由所述第一型半導體層的外周緣、所述活性層的外周緣以及所述延伸部的底端的內周緣共同界定，所述延伸部的頂端的內周緣與所述第二型半導體層直接接觸；

切割所述透光基板形成多個獨立的磊晶結構；

制作第一電極，形成發光二極管。

6.如權利要求5所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：所述形成環形溝槽的步驟中至少包括：

在所述磊晶層的表面上形成光阻層，所述光阻層具有多個間隔設置的通孔，所述通孔呈環狀；

沿所述通孔向下蝕刻所述磊晶層，以形成所述環形溝槽。

7.如權利要求6所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：

所述形成溝道的步驟至少包括：去除所述磊晶層表面的光阻層；

在所述磊晶層的表面上再次形成光阻層，所述光阻層覆蓋所述絕緣層以及位于所述絕緣層所圍設的區域內的磊晶層的表面，所述光阻層之間形成間隔區域；

沿著所述間隔區域向下蝕刻所述磊晶層形成多個間隔設置的磊晶結構，所述磊晶結構之間形成間隔設置的溝道，所述透光基板封閉所述溝道的底部。

8.如權利要求7所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：所述形成導電層的方法包括：

在所述溝道內進一步形成光阻層，所述光阻層設置在所述磊晶結構的周緣外側且與所述磊晶結構間隔設置；

在所述光阻層與所述磊晶結構的周緣外側之間形成導電層，所述導電層覆蓋所述磊晶結構的周緣側面及所述絕緣層的周緣側面。

9.如權利要求8所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：

所述形成多個獨立的磊晶結構的步驟包括：

去除所述光阻層，以在相鄰的兩個磊晶結構的導電層之間形成間隙；

沿著所述透光基板正對所述間隙的位置切割透光基板以將所述多個磊晶結構分離。