[發明專利]Na劑量控制方法

有效

• 申請號: 201410441930.0
• 申請日: 2014-09-02
• 公開（公告）號: CN105206704B
• 公開（公告）日: 2018-04-20
• 發明（設計）人: 許麗;李文欽
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0392
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,孫征

1.一種Na劑量控制方法，包括：

將至少兩個襯底彼此間以一定距離放置在襯底載體上，所述至少兩個襯底包括第一含量的第一材料和第二含量的第二材料，其中，所述至少兩個襯底之間的所述距離基于所述第一材料的第一含量和至少一個退火工藝參數，其中，所述第一材料包括Na₂O，所述第一含量的重量百分比介于2％和12％之間并且所述第二含量的重量百分比為至少4％且所述第二材料包括K₂O；

將所述襯底載體放置在反應腔室中；以及

對所述至少兩個襯底實施第一退火工藝，其中，所述距離介于5mm和100mm之間。

2.根據權利要求1所述的Na劑量控制方法，其中，以背對背布置的方式放置所述至少兩個襯底。

3.根據權利要求1所述的Na劑量控制方法，其中，以面對面布置的方式放置所述至少兩個襯底。

4.根據權利要求1所述的Na劑量控制方法，其中，所述至少一個工藝參數包括退火溫度和退火時間中的一個。

5.根據權利要求1所述的Na劑量控制方法，其中，所述至少一個工藝參數包括H₂Se的濃度。

6.根據權利要求1所述的Na劑量控制方法，還包括在所述第一退火工藝之后實施第二退火工藝。

7.一種Na劑量控制方法，包括：

將至少兩個襯底彼此間以一定距離放置在襯底載體上，所述至少兩個襯底包括重量百分比介于2％和12％之間的Na₂O和重量百分比至少為5％的K₂O，其中，所述至少兩個襯底之間的所述距離基于Na₂O的含量、K₂O的含量和至少一個退火工藝參數；

將所述襯底載體放置在反應腔室中；以及

對所述至少兩個襯底實施第一退火工藝，其中，所述距離介于5mm和100mm之間。

8.根據權利要求7所述的Na劑量控制方法，其中，所述至少一個工藝參數包括退火溫度、退火時間和H₂Se的濃度中的一個。