[發明專利]薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板、顯示裝置

在審

• 申請號: 201410441784.1
• 申請日: 2014-09-01
• 公開（公告）號: CN104300004A
• 公開（公告）日: 2015-01-21
• 發明（設計）人: 姜春生
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 柴亮;張天舒

1.一種薄膜晶體管，包括刻蝕阻擋層，其特征在于，所述刻蝕阻擋層的材料為金屬氧化物，且所述金屬氧化物的介電系數大于4F/m。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述刻蝕阻擋層的材料為：氧化鋁、氧化鉬、氧化鎢中的任意一種或幾種形成的復合材料。

3.根據權利要求1或2所述的薄膜晶體管，其特征在于，還包括設于刻蝕阻擋層下方的氧化物半導體有源層。

4.根據權利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于，還包括柵極、柵極絕緣層，所述柵極設于所述氧化物半導體有源層下方，并通過所述柵極絕緣層與氧化物半導體有源層隔開。

5.一種薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括形成刻蝕阻擋層的步驟，其中所述刻蝕阻擋層的材料為介電系數大于4F/m的金屬氧化物。

6.根據權利要求5所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述金屬氧化物的材料為：氧化鋁、氧化鉬、氧化鎢中的任意一種或幾種形成的復合材料。

7.根據權利要求5或6所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述形成刻蝕阻擋層的步驟具體包括：

在基底上形成金屬薄膜；

通過構圖工藝形成包括圖案化的金屬薄膜的圖形；

對完成上述步驟的基底放入含氧氣體中并退火，使圖案化的金屬薄膜氧化為圖案化的金屬氧化物薄膜，從而形成包括刻蝕阻擋層的圖形。

8.根據權利要求7所述的，薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述退火的溫度在260至320度之間。

9.根據權利要求7所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，在形成刻蝕阻擋層的步驟之前還包括：

在基底上通過構圖工藝形成包括柵極的圖形；

在完成上述步驟的基底上，形成柵極絕緣層；

在完成上述步驟的基底上，通過構圖工藝形成包括氧化物半導體有源層的圖形。

10.一種陣列基板，其特征在于，包括權利要求1～4中任意一種所述的薄膜晶體管。

11.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求10所述的陣列基板。