[發明專利]半導體存儲裝置有效
| 申請號: | 201410441732.4 | 申請日: | 2014-09-01 |
| 公開(公告)號: | CN105448334B | 公開(公告)日: | 2019-08-23 |
| 發明(設計)人: | 村上洋樹 | 申請(專利權)人: | 華邦電子股份有限公司 |
| 主分類號: | G11C16/06 | 分類號: | G11C16/06;G11C29/44 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 王天堯 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 錯誤校正 數據維持 存儲器陣列 壓縮組件 壓縮 半導體存儲裝置 外部 延伸 耦接 讀取 錯誤檢測 發明配置 輸出數據 校正 寫入 輸出 | ||
1.一種半導體存儲裝置,其特征在于,包括:
一存儲器陣列;
一數據維持組件,用以維持從該存儲器陣列讀取的數據,或是維持寫入至該存儲器陣列的數據;
一外部輸出入端點;
一錯誤校正組件,用以耦接該數據維持組件,并且對輸入至該數據維持組件的數據或是來自該數據維持組件的輸出數據進行錯誤檢測或是校正;以及
一壓縮組件,耦接于該外部輸出入端點以及該錯誤校正組件之間,用以進行數據的壓縮或是延伸,其中該壓縮組件壓縮來自該外部輸出入端點所提供的數據,提供被壓縮的數據至該錯誤校正組件,并且延伸從該錯誤校正組件所提供的數據,提供被延伸的數據至該外部輸出入端點,其中該壓縮組件將輸入數據壓縮為包含一數據型態以及該數據型態的一致次數的數據。
2.如權利要求1所述的半導體存儲裝置,其特征在于,還包括一輸出入緩沖器配置于該外部輸出入端點以及該壓縮組件之間。
3.如權利要求1所述的半導體存儲裝置,其特征在于,該壓縮組件是以邏輯壓縮輸入數據。
4.如權利要求1所述的半導體存儲裝置,其特征在于,該壓縮組件還包括:
一比較器,用以比較一輸入數據以及一型態數據;以及
一計數器,用以計數該輸入數據以及該型態數據的一致次數。
5.如權利要求4所述的半導體存儲裝置,其特征在于,該壓縮組件還包括:
一數據型態產生器,用以產生N位組的數據型態;
一判斷器,用以判斷從該比較器的比較結果所得到的數據型態與上一個比較器所比較的數據型態是否一致;以及
一壓縮數據產生器,用以產生壓縮后的數據,其中當借由該判斷器判斷為不一致時,該壓縮數據產生器產生一型態數據以及包含該型態數據的一致次數的壓縮數據。
6.如權利要求1所述的半導體存儲裝置,其特征在于,該壓縮組件還包括一延伸器,用以將包含型態數據以及該型態數據的一致次數的被壓縮的數據延伸為原本的數據。
7.如權利要求6所述的半導體存儲裝置,其特征在于,該壓縮組件還包括:
一計數器,用以對包含被壓縮的數據的一致次數進行減法運算;以及
一判斷器,用以判斷該計數器的計數值是否到達一預定值,其中直到借由該判斷器判斷是否到達該預定值為止,該延伸器產生該型態數據的連接。
8.如權利要求1所述的半導體存儲裝置,其特征在于,該錯誤校正組件于該被壓縮的數據添加全部為0或是全部為1的仿真數據。
9.如權利要求4所述的半導體存儲裝置,其特征在于,該型態數據為可變長度。
10.如權利要求1所述的半導體存儲裝置,其特征在于,該存儲器陣列為NAND型存儲器陣列。
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