[發明專利]一種不同方向集成電路版圖的缺陷檢測方法在審
| 申請號: | 201410441475.4 | 申請日: | 2014-09-01 |
| 公開(公告)號: | CN104332422A | 公開(公告)日: | 2015-02-04 |
| 發明(設計)人: | 倪棋梁;陳宏璘;龍吟 | 申請(專利權)人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人: | 吳俊 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 不同 方向 集成電路 版圖 缺陷 檢測 方法 | ||
技術領域
本發明涉及集成電路技術領域,尤其是涉及到一種不同方向集成電路版圖的缺陷檢測方法。
背景技術
在現有的技術領域中,一顆芯片的制作工藝往往包含幾百步的工序,主要的工藝模塊可以分為光刻、刻蝕、離子注入、薄膜生長和清洗等幾大部分。隨著集成電路工藝的發展及特征尺寸的不斷縮小,芯片上電路的分布也越來越復雜,任何環節的微小錯誤都將導致整個產品的失效,所以對工藝控制的要求就越來越嚴格。為了可以及時的發現產品的缺陷,在實際的生產過程中一般都配置有相當數量的缺陷檢測設備對產品在線的檢測,缺陷檢測的原理是通過設備獲得幾個芯片的信號,然后再進行數據的比對,如圖1a~1c表示為相鄰的3個芯片,通過對3個芯片的圖形數據進行同時采集,然后通過B芯片和A芯片的比較得出有信號差異的位置;再通過B芯片和C芯片的比較得出有信號差異的位置;那么這兩個對比結果中差異信的相同位置就是B芯片上偵測到的缺陷的位置。而針對芯片上電路密度最高而且重復的結構,如圖2所示,為了實現高精度的缺陷檢測,采取的是重復結構之間的數據比對來確定缺陷的位置。但是,由于芯片本身設計的考慮,往往在一個芯片上有不同方向的靜態存儲器電路結構,按照目前的方法只能采取多次的掃描檢測才能完成不同方向靜態存儲器的缺陷檢測,這就會極大的影響檢測的效率使得生產的成本大幅度的增加。
中國專利(CN103065993A)公開了一種晶圓缺陷檢測系統,包括傅立葉濾波器,其包括位于光強信號采集范圍內的多個阻擋單元,所述阻擋單元為第一方向排列的第一阻擋單元和/或第二方向排列的第二阻擋單元;切換模塊與所述傅里葉濾波器相連,根據檢測方向將所述阻擋單元切換為所述第一阻擋單元或所述第二阻擋單元;以及檢測器,檢測傅立葉濾波器透射的光。本發明還相應提供了一種晶圓缺陷檢測方法。
上述專利公開的一種晶圓缺陷檢測系統以及檢測方法,在一次傳送過程中就能完成不同方向圖形上的晶圓缺陷檢測,提高了缺陷檢測的效率,但是該晶圓缺陷檢測系統設計較為復雜,成本較高,無法進行第一方向上與第二方向上結構數據的對比進而進行缺陷檢測,使其在缺陷檢測時,缺陷檢測精度受到限制。
發明內容
鑒于上述問題,本發明提供一種不同方向集成電路版圖的缺陷檢測方法,通過該方法可以解決無法進行第一方向上與第二方向上的重復結構數據的對比進而進行缺陷檢測,使其在缺陷檢測時,缺陷檢測精度受到限制的缺陷。
本發明解決上述技術問題所采用的技術方案為:
一種不同方向集成電路版圖的缺陷檢測方法,其中,所述方法包括:
步驟S1、提供一具有集成電路版圖的晶圓,所述集成電路版圖包括若干沿第一方向分布的第一電路區和沿第二方向分布的第二電路區,且所述第一電路區和第二電路區的結構相同;
步驟S2、調用一檢測設備檢測所述集成電路版圖,獲取所述第一電路區與所述第二電路區在各自方向上的圖形數據;
步驟S3、預先設定所述檢測設備對所述圖形的方向轉換關系,將所述第一電路區與所述第二電路區在各自方向上的圖形轉換為同一方向,并進行檢測。
步驟S4、獲取所述第一電路區在第二方向上的圖形數據,并與所述第二電路區在第二方向上的圖形數據進行比對;或
獲取所述第二電路區在第一方向上的圖形數據,并與所述第一電路區在第一方向上的圖形數據進行比對,進而完成對所述晶圓的缺陷檢測。
較佳的,上述的不同方向集成電路版圖的缺陷檢測方法,其中,所述第一電路區與所述第二電路區均為靜態存儲器設計電路。
較佳的,上述的不同方向集成電路版圖的缺陷檢測方法,其中,所述第一電路區的方向垂直所述第二電路區的方向。
較佳的,上述的不同方向集成電路版圖的缺陷檢測方法,其中,所述檢測設備為一光學缺陷檢測設備。
上述技術方案具有如下優點或有益效果:
本發明公開的一種不同方向集成電路版圖的缺陷檢測方法,通過調用一光學缺陷檢測設備獲取晶圓中的靜態存儲器設計電路的兩不同方向的圖形數據,并根據光學缺陷檢測設備中預先設定的方向轉換關系對其中一種方向圖形向另一種方向圖形進行方向轉換,并進行缺陷檢測;因此本發明技術方案可以按照預先設定的檢測方向可以實現對不同方向重復結構的靜態存儲器設計電路實現一次性掃描檢測,大大提升了缺陷檢測精度的同時降低了缺陷檢測的成本。
附圖說明
通過閱讀參照以下附圖對非限制性實施例所作的詳細描述,本發明及其特征、外形和優點將會變得更明顯。在全部附圖中相同的標記指示相同的部分并未刻意按照比例繪制附圖,重點在于表示出本發明的主旨。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





