[發(fā)明專利]一種用于缺陷分類的光學檢測方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410441473.5 | 申請日: | 2014-09-01 |
| 公開(公告)號: | CN104201130B | 公開(公告)日: | 2017-10-03 |
| 發(fā)明(設計)人: | 倪棋梁;陳宏璘;龍吟 | 申請(專利權)人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;G01N21/84 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務所31272 | 代理人: | 吳俊 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 缺陷 分類 光學 檢測 方法 | ||
1.一種用于缺陷分類的光學檢測方法,其特征在于,所述方法包括:
步驟S1、提供一具有集成電路版圖的待測晶圓,所述集成電路版圖包括柵極、有源區(qū)和氧化層隔離區(qū);
步驟S2、調用一檢測設備獲取所述集成電路版圖的電子圖像,并對柵極、有源區(qū)和氧化層隔離區(qū)進行標識;
步驟S3、調用一光學缺陷檢測設備獲取所述集成電路版圖的灰階化圖像,并根據(jù)標識后的電子圖像對灰階化的柵極、有源區(qū)和氧化層隔離區(qū)進行標識;
步驟S4、繼續(xù)利用所述光學缺陷檢測設備檢測灰階化的柵極、有源區(qū)和氧化層隔離區(qū)中存在的缺陷,并對缺陷予以分類;
其中,所述灰階化圖像包括三種不同程度的灰階區(qū)域,具體為亮色灰階、灰色灰階和黑色灰階;步驟S3中,獲取所述集成電路版圖的灰階化圖像后,所述柵極、有源區(qū)和氧化層隔離區(qū)的灰階程度不同;步驟S4中,利用所述光學缺陷檢測設備檢測缺陷之前,還包括設定所述光學缺陷檢測設備的缺陷檢測靈敏度;調用所述光學缺陷檢測設備并設定合適的缺陷檢測靈敏度檢測所述柵極、有源區(qū)和氧化層隔離區(qū)中的缺陷,使其更清晰檢測并識別出缺陷位于不同灰階程度上對應的結構,進而對缺陷進行分類統(tǒng)計。
2.如權利要求1所述的用于缺陷分類的光學檢測方法,其特征在于,所述集成電路版圖中設有靜態(tài)存儲器電路。
3.如權利要求1所述的用于缺陷分類的光學檢測方法,其特征在于,通過所述氧化層隔離區(qū)對相鄰的有源區(qū)進行隔離。
4.如權利要求1所述的用于缺陷分類的光學檢測方法,其特征在于,所述檢測設備為一電子顯微鏡。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





