[發明專利]等離子刻蝕設備有效
| 申請號： | 201410441419.0 | 申請日： | 2014-09-01 |
| 公開（公告）號： | CN104299881B | 公開（公告）日： | 2017-04-12 |
| 發明（設計）人： | 潘無忌 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務所31272 | 代理人： | 吳俊 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 等離子 刻蝕 設備 | ||
1.一種等離子刻蝕設備，其特征在于，所述等離子刻蝕設備包括一圓形的加熱裝置，所述加熱裝置下方固定設置有一圓形的噴頭，所述加熱裝置與所述噴頭的外側被一環形的基座所包圍；
所述基座的正下方設置有一上接地環，位于所述上接地環與所述基座之間設置有一環形的填隙片，利用所述填隙片將所述上接地環與所述基座之間的間隙進行填充。
2.如權利要求1所述的等離子刻蝕設備，其特征在于，所述填隙片采用彈性材料。
3.如權利要求1所述的等離子刻蝕設備，其特征在于，所述填隙片采用耐高溫材料。
4.如權利要求2或3所述的等離子刻蝕設備，其特征在于，所述填隙片的材料為石墨或硅膠。
5.如權利要求1所述的等離子刻蝕設備，其特征在于，所述填隙片為可拆卸式的填隙片。
6.如權利要求1所述的等離子刻蝕設備，其特征在于，所述等離子刻蝕設備應用于深反應離子刻蝕工藝中。
7.如權利要求1所述的等離子刻蝕設備，其特征在于，所述上接地環與所述填隙片之間均設置有螺紋孔，通過螺栓將所述上接地環與所述填隙片固定在所述基座下方。
8.如權利要求1所述的等離子刻蝕設備，其特征在于，所述填隙片將所述基座的整個下表面予以覆蓋。
9.如權利要求1所述的等離子刻蝕設備，其特征在于，所述等離子刻蝕設備位于一密閉的腔室內，所述腔室內位于所述等離子刻蝕設備正下方設置有一靜電吸盤，所述靜電吸盤用于放置待刻蝕的晶圓。
10.如權利要求1所述的等離子刻蝕設備，其特征在于，所述噴頭與所述加熱裝置的內徑相等。
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