[發明專利]一種阻變存儲器存儲單元的多值操作方法

有效

• 申請號: 201410441414.8
• 申請日: 2014-09-01
• 公開（公告）號: CN104240757B
• 公開（公告）日: 2018-10-02
• 發明（設計）人: 袁方;張志剛;潘立陽
• 申請（專利權）人: 清華大學
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06;G11C11/56
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 張大威

1.一種阻變存儲器存儲單元的多值操作方法，其特征在于，通過綜合調節所述存儲單元的編程限制電流和擦除截止電壓以實現多值存儲,其中，

通過對所述存儲單元施加擦除電壓和編程限制電流以實現存儲單元的較低阻值狀態，其中編程限制電流數值越大，存儲單元阻值越小，以及

通過對所述存儲單元施加擦除截止電壓和編程電壓以實現存儲單元的較高阻值狀態，其中，擦除截止電壓絕對值越大，存儲單元阻值越大；

選取預設所述編程限制電流和預設所述擦除截止電壓，提升信息態之間的電阻值窗口；

所述存儲單元為X位存儲單元時對應2^X種阻值狀態，按照阻值從小到大依次表示為S1、S2……S2^X；

選取A個編程限制電流值，按照電流數值從大到小依次表示為第一編程限制電流I1，第二編程限制電流I2，……第A編程限制電流IA，其中A為正整數；

選取B個擦除截止電壓值，按照電壓數值絕對值從大到小依次表示為第一擦除截止電壓V1，第二擦除截止電壓V2，……第B擦除截止電壓VB,其中，B＝2^X-A；

對所述存儲單元施加擦除電壓和I1以實現S1，對所述存儲單元施加擦除電壓和I2以實現S2，依次類推實現所有阻值狀態中A種阻值較小的狀態，即實現S1至SA；以及

對所述存儲單元施加V1和編程電壓以實現S2^X，對所述存儲單元施加V2和編程電壓以實現S(2^X-1)，依次類推實現所有阻值狀態中B種阻值較大的狀態，即實現S2^X至S(2^X+1-B)。