[發(fā)明專利]一種壓電陶瓷的驅(qū)動(dòng)放大電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410441037.8 | 申請(qǐng)日: | 2014-09-01 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104242842B | 公開(公告)日: | 2017-09-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 徐立松;李佩玥;葛川;尹志生;隋永新;楊懷江 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所 |
| 主分類號(hào): | H03F3/45 | 分類號(hào): | H03F3/45 |
| 代理公司: | 長春菁華專利商標(biāo)代理事務(wù)所(普通合伙)22210 | 代理人: | 陶尊新 |
| 地址: | 130033 吉*** | 國省代碼: | 吉林;22 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 壓電 陶瓷 驅(qū)動(dòng) 放大 電路 | ||
1.一種壓電陶瓷的驅(qū)動(dòng)放大電路,由差分輸入電路、電壓放大電路和電流放大電路組成;其特征是,所述差分輸入電路的輸出端與電壓放大電路的輸入端連接,電壓放大電路的輸出端與電流放大電路的輸入端連接,所述電流放大電的輸出端串聯(lián)電阻后與壓電陶瓷組成RC充放電電路給壓電陶瓷供電;
所述的差分輸入電路由耗盡型MOS管Q6、電阻R6、由分晶體管Q1_A和分晶體管Q1_B組成的差分對(duì)管Q1、高壓晶體管Q2和Q3、由三極管Q4_A和三極管Q4_B組成的電流源三極管Q4、電阻R1、電阻R2、電阻R3以及二極管D1組成;所述電壓放大電路由可變電阻R4、可變電阻R5、晶體管Q5、耗盡型MOS管Q7和R7組成;所述電流放大電路由高壓MOS管M1、高壓MOS管M2、電阻R8、電阻R9和電阻R10組成;
所述耗盡型MOS管Q6的源極串聯(lián)電阻R6作為差分輸入電路的恒流源,所述分晶體管Q1_A和分晶體管Q1_B的發(fā)射極相連并與恒流源的輸出端相連,差分對(duì)管Q1_A和Q1_B的基極分別作為差分輸入電路的同向輸入端和反向輸入端,分晶體管Q1_A和分晶體管Q1_B的集電極分別連接高壓晶體管Q2和Q3的發(fā)射極;所述高壓晶體管Q2和高壓晶體管Q3基極相連,集電極分別連接電流源三極管Q4_A和Q4_B的集電極,所述高壓晶體管Q2的集電極作為差分輸入電路的反向輸出端,高壓晶體管Q3的集電極作為差分輸入電路的同向輸出端;所述電流源三極管Q4_A和Q4_B的基極相連后與三極管Q4_A的集電極相連,所述電流源三極管Q4_A和Q4_B的發(fā)射極分別串接電阻R1和R2最終接在正電壓源VCC上;所述電阻R3的一端與正電壓源VCC相連,另一端串聯(lián)二極管D1后與耗盡型MOS管Q6組成的恒流源的輸出端連接,所述二極管D1與電阻R3連接的一端作為穩(wěn)定電壓輸出端連接于高壓晶體管Q2和高壓晶體管Q3的基極;
所述晶體管Q5的發(fā)射極串聯(lián)可變電阻R4后與正電壓源VCC連接,所述晶體管Q5的基極作為輸入端與差分輸入電路的反向輸出端相連,晶體管Q5的集電極串聯(lián)可變電阻R5與耗盡型MOS管Q7的輸出端相連,所述耗盡型MOS管Q7的源極串聯(lián)R7作為電壓放大電路的恒流源;
所述高壓MOS管M1和高壓MOS管M2的漏極分別與正電壓源VCC和負(fù)電壓源VSS相連,柵極分別作為電壓放大電路的輸入端串接電阻R8和R9后接在可變電阻R5的兩端,所述高壓MOS管M1和高壓MOS管M2的源級(jí)相連并作為電流放大電路的輸出端,同時(shí)所述輸出端與電阻R10串聯(lián)后用于驅(qū)動(dòng)壓電陶瓷。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種壓電陶瓷的驅(qū)動(dòng)放大電路,其特征在于,所述分晶體管Q1_A和Q1_B選擇型號(hào)為SMM2212的晶體管,高壓晶體管Q2和Q3選擇型號(hào)為CZTA44的高壓三極管,電流源三極管Q4_A和Q4_B選擇型號(hào)為BCM62B的鏡像電流源三極管,晶體管Q5為FZT560高壓三極管,耗盡型MOS管Q6和Q7為CPC5603耗盡型MOS管,高壓MOS管M1和M2分別為IXTA10N60P及IXTH10N60高壓MOS管;電阻R1至電阻R3、電阻R6至R9為貼片電阻;電阻R10為大功率的電阻。
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