[發(fā)明專利]一種變壓器

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410440748.3
• 申請日: 2014-09-02
• 公開（公告）號: CN104616865A
• 公開（公告）日: 2015-05-13
• 發(fā)明（設計）人: 曾金輝
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市迪比科電子科技有限公司
• 主分類號: H01F27/28
• 分類號: H01F27/28;H01F27/36
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于變壓器領(lǐng)域，更準確地說，涉及一種漏感小的電壓器。

背景技術(shù)

變壓器屬于能量傳遞、轉(zhuǎn)換、儲存、釋放的一種元件，可用于AC輸入、DC輸出的反激拓撲結(jié)構(gòu)功率變換，普遍應用于電子消費產(chǎn)品的供電電源中，進行電壓變換、安全隔離、儲存和釋放能量。變壓器會工作在DCM(不連續(xù))、CRM(臨界連續(xù))、CCM(完全連續(xù))模式，磁芯中柱需要磨氣隙，以支撐較大的直流磁化電流所導致的直流磁通，BH磁滯回線的斜率變小，并且由于氣隙的存在，能量儲存在氣隙(磁阻)中，減小了剩余磁通密度，增加了交流磁通密度的范圍。

目前低電壓大電流反激拓撲結(jié)構(gòu)功率應用變換中，變壓器都采用磁芯+常規(guī)的電木骨架來繞制，是一種軸向的繞制方法，采用的方法是初夾次單層三明治繞法，由于受到繞制工藝、漆包線漆皮厚度，安規(guī)絕緣用膠紙的厚度的影響，初次級的相對距離較大，具有較大的漏感和漏磁，初級的漏感為：L_S＝μ₀N₁²l_avK_S/l(c+(b+d)/3)??(1)；

μ₀為真空磁導率，μ₀＝4π×10^-7H/M＝0.4π×10^-8H/cm

其中l(wèi)表示窗口寬度，c表示初次級繞組間隙，b表示初級占用窗口高度，d表示次級占用窗口高度。

由公式可見，初級的漏感與次級的匝數(shù)平方成正比，與窗口寬度成反比，與繞組間隙成正比，漏感大約為初級電感的8％～10％，這個漏感沒有匝鏈到次級，導致了較大的損耗和電壓損失。

導致的損耗為：P＝1/2L_LS×I_SPK²×f_S??(2)

L_LS為初級漏感通過匝比折射到次級的漏感；

I_SPK是次級峰值電流；

導致漏感損失的電壓損失為：V_LS＝L_LS×I_SPK/T(1-D)??(3)

上述公式可以看出，傳統(tǒng)的繞制工藝漏感是相對較大的，變壓器的效率相對較低。而且為減少趨膚效應導致的高頻交流阻抗增大，次級一般采用利茲線，它是由多根細線構(gòu)成，操作時容易折斷，經(jīng)常會引起損耗增大。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，提供了一種變壓器。

為了實現(xiàn)上述的目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是：一種變壓器，包括骨架，沿著骨架的軸向方向纏繞作為初級線圈的一層第一線圈、作為次級線圈的一層第二線圈、作為初級線圈的一層第三線圈、作為次級線圈的一層第四線圈、作為初級線圈的一層第五線圈，在第一線圈和第二線圈之間、第二線圈和第三線圈、第三線圈和第四線圈、第四線圈和第五線圈之間分別設置有第一屏蔽層、第二屏蔽層、第三屏蔽層、第四屏蔽層；其中，第一線圈、第三線圈、第五線圈串聯(lián)在一起，所述第二線圈、第四線圈串聯(lián)在一起。

優(yōu)選的是，所述第二線圈、第四線圈采用扁平漆包線，所述第一線圈、第三線圈、第五線圈采用TEX-E絕緣電線。

優(yōu)選的是，所述TEX-E絕緣電線的直徑為0.43mm。

優(yōu)選的是，所述第一屏蔽層、第二屏蔽層、第三屏蔽層、第四屏蔽層采用背膠銅箔。

優(yōu)選的是，所述第一線圈、第三線圈、第五線圈的匝數(shù)分別為九圈；所述第二線圈、第四線圈的匝數(shù)為兩圈。

優(yōu)選的是，在第五線圈的外側(cè)還依次繞制有用于供電的作為初級線圈的第六線圈、作為次級線圈的第七線圈。

優(yōu)選的是，在所述第七線圈的外側(cè)還設有第五屏蔽層。