[發明專利]光電轉換元件的制造方法無效
| 申請號： | 201410440711.0 | 申請日： | 2014-09-01 |
| 公開（公告）號： | CN104465864A | 公開（公告）日： | 2015-03-25 |
| 發明（設計）人： | 平賀廣貴;中川直之;芝崎聰一郎;山崎六月;山本和重;櫻田新哉;稻葉道彥 | 申請（專利權）人： | 株式會社東芝 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人： | 陳海紅;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 光電 轉換 元件 制造 方法 | ||
1.一種光電轉換元件的制造方法，是在第一電極上形成包含黃銅礦型化合物、黃錫礦型化合物和鋅黃錫礦型化合物的化合物半導體中的至少任一種的光電轉換層的光電轉換元件的制造方法，其特征在于，
形成所述光電轉換層的工序包括：
光電轉換層前驅體形成工序，在所述第一電極上，形成包含黃銅礦型化合物、黃錫礦型化合物和鋅黃錫礦型化合物的化合物半導體中的至少任一種的光電轉換層前驅體；和
浸漬工序，在所述光電轉換層前驅體形成工序后，在0℃以上且60℃以下，將形成于所述第一電極上的所述光電轉換層前驅體浸漬于具有IIa族以及IIb族的至少1種元素的液體中，
所述光電轉換層前驅體的所述第一電極側的所述化合物半導體是非晶質，或者，所述第一電極側的所述化合物半導體的平均晶體粒徑比與所述第一電極相反一側的所述化合物半導體的平均晶體粒徑大。
2.根據權利要求1所述的光電轉換元件的制造方法，其中，
所述光電轉換層前驅體形成工序中，進行使所述第一電極側的所述化合物半導體的平均晶體粒徑比與所述第一電極相反一側的平均晶體粒徑大的處理。
3.根據權利要求1所述的光電轉換元件的制造方法，其中，
關于所述化合物半導體，與所述第一電極相反一側的平均晶體粒徑為500nm以下，或者是非晶質。
4.根據權利要求1所述的光電轉換元件的制造方法，其中，
所述化合物半導體的所述第一電極側的平均晶體粒徑為1000nm以上且3000nm以下。
5.根據權利要求1所述的光電轉換元件的制造方法，其中，
將具有所述第一電極的部件加熱至200℃以上且400℃以下，并堆積從IIIb族元素和VIb族元素選出的至少1種元素，
接著，將溫度加熱至450℃以上且550℃以下，堆積從Ib族元素和VIb族元素選出的至少1種元素，
接著，冷卻至400℃以下，堆積從IIIb族元素和VIb族元素選出的至少1種元素，由此，形成包含黃銅礦型化合物、黃錫礦型化合物和鋅黃錫礦型化合物的化合物半導體中的至少任一種的所述光電轉換層前驅體。
6.根據權利要求1所述的光電轉換元件的制造方法，其中，
在形成所述光電轉換層的工序之后，在所述光電轉換層的與所述第一電極相反一側的面側形成第二電極。
7.根據權利要求1所述的光電轉換元件的制造方法，其中，
具有所述IIa族以及IIb族的至少1種元素的液體是80mM以上的摻雜劑溶液。
8.根據權利要求1至7的任一項所述的光電轉換元件的制造方法，其中，
在所述浸漬工序中，所述第一電極的相反側的所述光電轉換層前驅體被浸漬。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
