[發(fā)明專利]一種n面電極下沉的反極性AlGaInP發(fā)光二極管芯片

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410440523.8
• 申請日: 2014-09-01
• 公開（公告）號: CN105374916A
• 公開（公告）日: 2016-03-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 左致遠(yuǎn);夏偉;徐現(xiàn)剛
• 申請（專利權(quán)）人: 山東浪潮華光光電子股份有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38
• 代理公司: 濟(jì)南日新專利代理事務(wù)所 37224
• 代理人: 王書剛

1.一種n面電極下沉的反極性AlGaInP發(fā)光二極管芯片，自下至上依次包括p面電極、襯底、 鍵合層、反射鏡層、絕緣層、p型電流擴(kuò)展層、p型半導(dǎo)體層、有源發(fā)光區(qū)、n型半導(dǎo)體層、 n型電流擴(kuò)展層、窗口層、n面電極和n面焊盤；其特征是：p面電極制備在襯底的底面；絕 緣層上分布有開孔，反射鏡層通過絕緣層上的開孔與p型電流擴(kuò)展層接觸；有源發(fā)光區(qū)是多 量子阱或多異質(zhì)結(jié)的結(jié)構(gòu)；窗口層中設(shè)有深達(dá)n型電流擴(kuò)展層上表面的開孔，n面電極設(shè)置 在n型電流擴(kuò)展層的上表面，且處于窗口層的開孔中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的n面電極下沉的反極性AlGaInP發(fā)光二極管芯片，其特征是：所述 絕緣層的厚度為0.1μm-5μm，開孔直徑為0.5μm-50μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的n面電極下沉的反極性AlGaInP發(fā)光二極管芯片，其特征是：所述 p型電流擴(kuò)展層的厚度為0.1μm-10μm，p型摻雜的濃度為1×10¹⁸cm^-3—1×10²¹cm^-3。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的n面電極下沉的反極性AlGaInP發(fā)光二極管芯片，其特征是：所述 p型半導(dǎo)體層的厚度為0.1μm-10μm，p型摻雜的濃度為1×10¹⁷cm^-3-1×10²¹cm^-3。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的n面電極下沉的反極性AlGaInP發(fā)光二極管芯片，其特征是：所述 所述n型半導(dǎo)體層的厚度為0.1μm-10μm，n型摻雜的濃度為1×10¹⁷cm^-3-1×10²¹cm^-3。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的n面電極下沉的反極性AlGaInP發(fā)光二極管芯片，其特征是：所述 所述n型電流擴(kuò)展層的厚度為0.1μm-10μm，n型摻雜的濃度為1×10¹⁷cm^-3-1×10²¹cm^-3。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的n面電極下沉的反極性AlGaInP發(fā)光二極管芯片，其特征是：所述 窗口層的厚度為0.1μm-10μm，開孔的直徑為0.5μm-50μm。