[發明專利]一種將異型中電流離子注入機導入量產的方法在審
| 申請號： | 201410440502.6 | 申請日： | 2014-09-01 |
| 公開（公告）號： | CN104332396A | 公開（公告）日： | 2015-02-04 |
| 發明（設計）人： | 邱裕明;肖天金;余德欽 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/265 | 分類號： | H01L21/265;H01J37/317 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人： | 吳俊 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 異型 電流 離子 注入 導入 量產 方法 | ||
1.一種將異型中電流離子注入機導入量產的方法，其特征在于，包括如下步驟；
提供第一硅片，在硅片中定義有中心注入區和位于該中心注入區兩側并關于該中心區對稱的至少兩個注入區；
采用第一離子注入設備對各注入區進行離子注入，并保證位于中心注入區一側的注入區至位于中心注入區另一側的注入區的注入劑量逐漸遞增，并在注入完成后獲取硅片各注入區的電阻值；
提供第二硅片，采用第二離子注入設備對該第二硅片進行離子注入，且注入的劑量與所述第一硅片的中心區的注入劑量相同，獲取該硅片的電阻值；
根據第一硅片各注入區的注入劑量和電阻值以及第二硅片的注入劑量和電阻值，求得將第一離子注入設備代替第二離子注入設備進行離子注入時，所選用的最佳注入劑量。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一硅片包括中心注入區，以及位于該中心注入區兩側并關于該中心區對稱的第一注入區和第二注入區。
3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一注入區背離所述中心注入區另一側、中心注入區和第二注入區背離所述中心注入區另一側的注入劑量比值為0.9：1：1.1。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，通過對所述第一硅片和第二硅片進行掃描以獲取所述第一硅片各注入區和第二硅片的電阻。
5.如權利要求3或4所述的方法，其特征在于，在對第一硅片進行掃描時，根據各所述注入區的注入劑量以及注入位置在所述第一硅片上繪制等高線，并根據該等高線對第一硅片進行掃描。
6.如權利要求3或4所述的方法，其特征在于，對所述第一硅片做49點等高線掃描，以獲取所述第一硅片在各所述注入區的電阻值。
7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在對所述第一硅片和第二硅片進行離子注入后，還包括一退火工藝。
8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一硅片與所述第二硅片均為純凈無摻雜的硅片。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
