[發(fā)明專利]一種將異型中電流離子注入機(jī)導(dǎo)入量產(chǎn)的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410440502.6
• 申請(qǐng)日: 2014-09-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104332396A
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-02-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邱裕明;肖天金;余德欽
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/265
• 分類號(hào): H01L21/265;H01J37/317
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所 31272
• 代理人: 吳俊

1.一種將異型中電流離子注入機(jī)導(dǎo)入量產(chǎn)的方法，其特征在于，包括如下步驟；

提供第一硅片，在硅片中定義有中心注入?yún)^(qū)和位于該中心注入?yún)^(qū)兩側(cè)并關(guān)于該中心區(qū)對(duì)稱的至少兩個(gè)注入?yún)^(qū)；

采用第一離子注入設(shè)備對(duì)各注入?yún)^(qū)進(jìn)行離子注入，并保證位于中心注入?yún)^(qū)一側(cè)的注入?yún)^(qū)至位于中心注入?yún)^(qū)另一側(cè)的注入?yún)^(qū)的注入劑量逐漸遞增，并在注入完成后獲取硅片各注入?yún)^(qū)的電阻值；

提供第二硅片，采用第二離子注入設(shè)備對(duì)該第二硅片進(jìn)行離子注入，且注入的劑量與所述第一硅片的中心區(qū)的注入劑量相同，獲取該硅片的電阻值；

根據(jù)第一硅片各注入?yún)^(qū)的注入劑量和電阻值以及第二硅片的注入劑量和電阻值，求得將第一離子注入設(shè)備代替第二離子注入設(shè)備進(jìn)行離子注入時(shí)，所選用的最佳注入劑量。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一硅片包括中心注入?yún)^(qū)，以及位于該中心注入?yún)^(qū)兩側(cè)并關(guān)于該中心區(qū)對(duì)稱的第一注入?yún)^(qū)和第二注入?yún)^(qū)。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一注入?yún)^(qū)背離所述中心注入?yún)^(qū)另一側(cè)、中心注入?yún)^(qū)和第二注入?yún)^(qū)背離所述中心注入?yún)^(qū)另一側(cè)的注入劑量比值為0.9：1：1.1。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，通過(guò)對(duì)所述第一硅片和第二硅片進(jìn)行掃描以獲取所述第一硅片各注入?yún)^(qū)和第二硅片的電阻。

5.如權(quán)利要求3或4所述的方法，其特征在于，在對(duì)第一硅片進(jìn)行掃描時(shí)，根據(jù)各所述注入?yún)^(qū)的注入劑量以及注入位置在所述第一硅片上繪制等高線，并根據(jù)該等高線對(duì)第一硅片進(jìn)行掃描。

6.如權(quán)利要求3或4所述的方法，其特征在于，對(duì)所述第一硅片做49點(diǎn)等高線掃描，以獲取所述第一硅片在各所述注入?yún)^(qū)的電阻值。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在對(duì)所述第一硅片和第二硅片進(jìn)行離子注入后，還包括一退火工藝。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一硅片與所述第二硅片均為純凈無(wú)摻雜的硅片。