[發明專利]一種提高外延機臺產能的裝置與方法有效
| 申請號： | 201410440501.1 | 申請日： | 2014-09-01 |
| 公開（公告）號： | CN104332429B | 公開（公告）日： | 2018-06-19 |
| 發明（設計）人： | 曹威;江潤峰 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人： | 吳俊 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 產能 機臺 硅片 集成電路技術 生產效率 外延工藝 外延腔體 外延膜 淀積 停留 | ||
1.一種提高外延機臺產能的裝置，其特征在于，所述裝置包括：
位于同一外延腔體內的若干第一基座、若干第二基座、若干第三基座和若干第四基座；
所述第一基座用于對硅片進行烘烤，所述第二基座與所述第三基座用于對硅片進行外延膜淀積，所述第四基座用于對硅片進行冷卻處理；
在進行外延工藝時，硅片按第一基座、第二基座、第三基座和第四基座的路徑依次進行對應的工藝處理；
所述第一基座、第二基座、第三基座和第四基座的材質均為石墨；所述裝置還包括一傳送設備，當所述硅片在其中一基座完成工藝處理后，通過所述傳送設備將該硅片移至位于該基座的下一基座繼續進行后續工藝處理。
2.如權利要求1所述的提高外延機臺產能的裝置，其特征在于，所述第一基座、第二基座、第三基座和第四基座的溫度控制相互獨立。
3.一種提高外延機臺產能的方法，其特征在于，所述方法包括：
步驟S1、提供一外延機臺裝置，所述裝置包括位于同一外延腔體內的若干第一基座、若干第二基座、若干第三基座和若干第四基座；
步驟S2、將一表面具有氧化層的硅片移至第一基座并進行烘烤處理，去除所述硅片表面的氧化層；
步驟S3、繼續將所述硅片依次移至第二基座和第三基座對硅片進行外延膜淀積；
步驟S4、繼續將所述硅片移至第四基座對硅片進行冷卻處理；
當所述硅片完成冷卻處理后，將該硅片移出外延機臺，將第三基座的硅片移至第四基座進行冷卻處理，同時將第二基座的硅片移至第三基座進行外延膜淀積，將第一基座的硅片移至第二基座進行外延膜淀積，并且將后續未進行外延工藝的硅片移至第一基座進行烘烤處理。
4.如權利要求3所述的提高外延機臺產能的方法，其特征在于，所述第一基座、第二基座、第三基座和第四基座的材質均為石墨。
5.如權利要求3所述的提高外延機臺產能的方法，其特征在于，所述裝置還包括一傳送設備，當所述硅片在其中一基座完成工藝處理后，通過所述傳送設備將該硅片移至位于該基座的下一基座繼續進行后續工藝處理。
6.如權利要求3所述的提高外延機臺產能的方法，其特征在于，所述第一基座、第二基座、第三基座和第四基座的溫度控制相互獨立。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
