[發明專利]一種光子晶體的制造方法在審
| 申請號： | 201410440446.6 | 申請日： | 2014-09-01 |
| 公開（公告）號： | CN104166181A | 公開（公告）日： | 2014-11-26 |
| 發明（設計）人： | 杜澤杰;段瑞飛 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | G02B6/13 | 分類號： | G02B6/13 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 光子 晶體 制造 方法 | ||
1.一種光子晶體的制造方法，其包括：
設計制作光子晶體的掩膜板；
布置光路，將光子晶體材料置于所述掩膜板的一側，將所述光源置于所述掩膜板的另一側；其中，所述光子晶體材料距離掩膜板2個泰伯周期以上；
開啟所述光源，所述光源通過所述掩膜板，在掩膜板的另一側的空間形成周期性的泰伯像，并且在所述光子晶體材料中形成感光區，使得該感感光區在所述光子晶體材料中由遠場向近場推進，完成曝光。
2.如權利要求1所述的方法，其中，所述掩膜板上的圖形或者圖形組合必須是周期分布的。
3.如權利要求1所述的方法，其中，所述單個圖形的特征尺寸大于所述光源的光波波長。
4.如權利要求1所述的方法，其中，所述掩膜板的圖形的最小周期長度大于或等于所述光源的光波波長的兩倍。
5.如權利要求1所述的方法，其中，所述光子晶體材料置于所述光源在所述掩膜板一側形成的菲涅爾衍射區或夫瑯和費衍射區可以獲得更好的光子晶體。
6.如權利要求1所述的方法，其中，所述光子晶體材料透明且對光照敏感。
7.如權利要求6所述的方法，其中，所述光子晶體在滿足一定條件時才對光照敏感，或者對特定波長的光照敏感。
8.如權利要求1所述的方法，其中，所述在所述光子晶體材料中形成感光區，使得該感感光區在所述光子晶體材料中由遠場向近場推進，完成曝光。
9.如權利要求1所述的方法，其中，所述光源、掩膜板和光子晶體材料所在的介質環境的折射率與所述光子晶體材料折射率差別小于或等于1％。
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