[發明專利]半導體器件

在審

• 申請號: 201410440432.4
• 申請日: 2014-09-01
• 公開（公告）號: CN104425587A
• 公開（公告）日: 2015-03-18
• 發明（設計）人: 河合徹;秋山豐;中柴康隆
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種半導體器件，包括：

第一III族氮化物半導體層；

第二III族氮化物半導體層，形成在所述第一III族氮化物半導體層之上；

絕緣層，包括第一表面、以及經由所述第一表面而面對所述第二III族氮化物半導體層的第二表面，并且所述第二表面包含開口，所述開口的底部至少到達所述第二III族氮化物半導體層的內部；

漏極電極和源極電極，電耦合至所述第二III族氮化物半導體層，并且從俯視圖看經由所述開口而彼此相互面對；

柵極電極，所述柵極電極的至少一部分沿著所述開口的深度方向經由所述開口的底部而面對所述第一III族氮化物半導體層；以及

第一場極板，所述第一場極板的至少一部分從俯視圖看經由在所述開口與所述漏極電極之間的所述絕緣層而面對所述第二III族氮化物半導體層，

其中所述開口包括定位在所述漏極電極一側的第一側壁、以及定位在所述源極電極一側的第二側壁，

其中所述柵極電極包括從俯視圖看面對所述漏極電極的第一側表面，所述第一側表面從俯視圖看定位在所述第一側壁與所述第二側壁的內側，

其中所述第一場極板的一部分嵌入在所述第一側表面與所述第一側壁之間，以及

其中所述柵極電極和所述第一場極板的至少一部分通過從俯視圖看定位在所述第一側壁與所述第二側壁的內側的第一絕緣構件而電絕緣。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，進一步包括：

第二場極板，所述第二場極板的至少一部分從俯視圖看經由在所述開口與所述源極電極之間的所述絕緣層而面對所述第二III族氮化物半導體層，

其中所述柵極電極包括從俯視圖看面對所述源極電極的第二側表面，并且所述第二側表面從俯視圖看定位在所述第一側壁與所述第二側壁的內側，

其中所述第二場極板的一部分嵌入在所述第二側表面與所述第二側壁之間，以及

其中所述柵極電極與所述第二場極板的至少一部分通過從俯視圖看定位在所述第一側壁與所述第二側壁的內側的第二絕緣構件而電絕緣。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中所述第一場極板和所述漏極電極從俯視圖看在面對所述漏極電極和所述源極電極的方向上彼此分離地形成。

4.根據權利要求2所述的半導體器件，

其中所述第一場極板和所述漏極電極從俯視圖看在面對所述漏極電極和所述源極電極的方向上彼此分離地形成，

其中所述第二場極板和所述源極電極從俯視圖看在面對所述漏極電極和所述源極電極的方向上彼此分離地形成。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，

其中所述第一場極板包括從俯視圖看在面對所述漏極電極和所述源極電極的方向上、面對所述漏極電極的第一邊緣區段，

其中所述第二場極板包括從俯視圖看在面對所述漏極電極和所述源極電極的方向上、面對所述源極電極的第二邊緣區段，以及

其中所述第一邊緣區段與所述漏極電極之間的間隙在面對所述漏極電極和所述源極電極的方向上，比所述第二邊緣區段與所述源極電極之間的間隙更大。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中所述第一側表面從俯視圖看在面對所述第一側壁和所述第二側壁的方向上，比所述開口的中央更接近于所述漏極電極。

7.根據權利要求2所述的半導體器件，

其中所述柵極電極的寬度從俯視圖看在面對所述第一側壁和所述第二側壁的方向上，比將所述第一場極板的所述一部分嵌入在所述第一側表面與所述第一側壁之間所形成的區段的寬度、以及將所述第二場極板的所述一部分嵌入在所述第二側表面與所述第二側壁之間所形成的區段的寬度中的每一個寬度都更寬。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中導電膜從所述開口向所述漏極電極一側形成，凹槽從俯視圖看形成在所述第一側壁與所述第二側壁的內側，并且第一絕緣材料嵌入在所述凹槽的至少一部分中；

其中所述導電膜從俯視圖看相對于所述第一絕緣構件在所述源極電極一側形成柵極電極，并且從俯視圖看還相對于所述第一絕緣構件在所述漏極電極一側形成所述第一場極板。