[發(fā)明專利]一種基于SCR結(jié)構(gòu)的新型ESD保護器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410440343.X | 申請日: | 2014-08-30 |
| 公開(公告)號: | CN104269401B | 公開(公告)日: | 2017-03-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 紀長志;劉志偉;繆家斌;劉聶;張國彥;劉毅;楊雪嬌;田瑞;劉凡 | 申請(專利權(quán))人: | 電子科技大學(xué) |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02 |
| 代理公司: | 上海精晟知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司31253 | 代理人: | 馮子玲 |
| 地址: | 610054 四川*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 scr 結(jié)構(gòu) 新型 esd 保護 器件 | ||
1.一種基于SCR結(jié)構(gòu)的新型ESD保護器件,其特征在于,包括P型襯底(301),P型襯底(301)內(nèi)設(shè)有第一N型阱(302)、第一P型阱(303)和第二N型阱(304),第一P型阱(303)位于第一N型阱(302)和第二N型阱(304)之間;
第一N型阱(302)內(nèi)注有第一N+注入?yún)^(qū)(305)、第一P+注入?yún)^(qū)(306);
第一P型阱(303)內(nèi)注有第三N+注入?yún)^(qū)(308)、第二P+注入?yún)^(qū)(309)和第四N+注入?yún)^(qū)(310);
第二N型阱(304)內(nèi)注有第三P+注入?yún)^(qū)(311)和第五N+注入?yún)^(qū)(312);
第一N型阱(302)與第一P型阱(303)之間跨接有第二N+注入?yún)^(qū)(307);
第一N+注入?yún)^(qū)(305)和P型襯底(301)邊緣之間、第一N+注入?yún)^(qū)(305)和第一P+注入?yún)^(qū)(306)之間、第一P+注入?yún)^(qū)(306)和第二N+注入?yún)^(qū)(307)之間、第二N+注入?yún)^(qū)(307)和第三N+注入?yún)^(qū)(308)之間、第三N+注入?yún)^(qū)(308)和第二P+注入?yún)^(qū)(309)之間、第二P+注入?yún)^(qū)(309)和第四N+注入?yún)^(qū)(310)之間、第四N+注入?yún)^(qū)(310)和第三P+注入?yún)^(qū)(311)之間、第三P+注入?yún)^(qū)(311)和第五N+注入?yún)^(qū)(312)之間、第五N+注入?yún)^(qū)(312)和P型襯底(301)邊緣之間均由氧化隔離層相隔;
第三N+注入?yún)^(qū)(308)、第二P+注入?yún)^(qū)(309)和第四N+注入?yún)^(qū)(310)共同引出一個器件端口,作為器件陰極;
第三P+注入?yún)^(qū)(311)引出一個端口,作為器件陽極;
第一N+注入?yún)^(qū)(305)、第一P+注入?yún)^(qū)(306)和第五N+注入?yún)^(qū)(312)之間利用金屬線相連。
2.按照權(quán)利要求1所述一種基于SCR結(jié)構(gòu)的新型ESD保護器件,其特征在于:所述陽極上有正向ESD事件來臨時,由第三P+注入?yún)^(qū)(311)和第二N型阱(304)形成正向?qū)ǘO管,與第一N+注入?yún)^(qū)(305)、第一N型阱(302)、第一P+注入?yún)^(qū)(306)、第二N+注入?yún)^(qū)(307)、第三N+注入?yún)^(qū)(308)、第二P型阱(303)以及第二P+注入?yún)^(qū)(309)形成的改進型SCR串聯(lián)形成的導(dǎo)通路徑開啟,同時,由第三P+注入?yún)^(qū)(311)、第二N型阱(304)、第四N+注入?yún)^(qū)(310)、第一P型阱(303)以及第二P+注入?yún)^(qū)(309)形成的常規(guī)SCR結(jié)構(gòu)開啟,并且形成泄流通路。
3.按照權(quán)利要求1所述一種基于SCR結(jié)構(gòu)的新型ESD保護器件,其特征在于:通過改進型SCR的低觸發(fā)電壓來開啟器件結(jié)構(gòu),同時,由于第三P+注入?yún)^(qū)(311)與第二N型阱(304)的正向PN結(jié)導(dǎo)通,會促使常規(guī)SCR通路導(dǎo)通,從而改進型SCR通路與常規(guī)SCR通路形成負反饋,達到增大器件維持電壓的目的,同時器件的觸發(fā)電壓只由改進型SCR通路的開啟電壓決定。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于電子科技大學(xué),未經(jīng)電子科技大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410440343.X/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的
- 卡片結(jié)構(gòu)、插座結(jié)構(gòu)及其組合結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)平臺結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)支撐結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)支撐結(jié)構(gòu)
- 單元結(jié)構(gòu)、結(jié)構(gòu)部件和夾層結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)扶梯結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)隔墻結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)連接結(jié)構(gòu)
- 螺紋結(jié)構(gòu)、螺孔結(jié)構(gòu)、機械結(jié)構(gòu)和光學(xué)結(jié)構(gòu)
- 螺紋結(jié)構(gòu)、螺孔結(jié)構(gòu)、機械結(jié)構(gòu)和光學(xué)結(jié)構(gòu)





