[發明專利]一種半導體器件及其制作方法和電子裝置

有效

• 申請號: 201410440321.3
• 申請日: 2014-09-01
• 公開（公告）號: CN105374862B
• 公開（公告）日: 2018-09-25
• 發明（設計）人: 施林波;陳福成;侯飛凡
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導體器件的制作方法，包括：

提供器件晶圓，在所述器件晶圓的正面形成第一鍵合界面層；

提供支撐晶圓，在所述支撐晶圓的表面上形成第二鍵合界面層；

對所述支撐晶圓執行氫離子注入，在離所述第二鍵合界面層有預定深度的區域中形成氫離子注入層；

進行鍵合工藝，將所述器件晶圓的所述第一鍵合界面層和所述支撐晶圓的所述第二鍵合界面層相接合；

對所述器件晶圓的背面進行減薄；

執行退火處理實現氫脆碎裂解鍵合，以剝離大部分的所述支撐晶圓；

去除所述器件晶圓上剩余的所述支撐晶圓。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一鍵合界面層的材料為氧化物。

3.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一鍵合界面層的厚度為

4.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述第一鍵合界面層的方法包括以下步驟：

在所述器件晶圓的正面沉積第一鍵合界面材料層；

對所述第一鍵合界面材料層執行化學機械研磨，以獲得第一鍵合界面層。

5.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，通過熱氧化的方法，在所述支撐晶圓表面形成熱氧化氧化硅層作為所述第二鍵合界面層。

6.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述預定深度為50～150埃。

7.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述退火的溫度為350～550℃，時間為2～5分鐘。

8.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，采用濕法清洗的方法，去除所述剩余支撐晶圓。

9.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述鍵合工藝為氧化物熔融鍵合工藝。

10.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成所述第一鍵合界面層之前，在所述器件晶圓的正面還形成有焊盤。

11.根據權利要求10所述的制作方法，其特征在于，在去除所述剩余支撐晶圓后，還包括以下步驟：

在所述器件晶圓的所述第一鍵合界面層表面上形成圖案化的光刻膠層；

以所述圖案化的光刻膠層為掩膜刻蝕所述第一鍵合界面層，以暴露所述焊盤；

去除所述圖案化的光刻膠層。

12.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述減薄之后和所述解鍵合之前，還包括對所述器件晶圓的背面執行背部工藝的步驟。

13.一種基于權利要求1至12之一所述的制作方法得到的半導體器件。

14.一種電子裝置，其特征在于，包括如權利要求13所述的半導體器件。