[發(fā)明專利]一種基于單片機的NAND-FLASH寫操作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410440206.6 | 申請日: | 2014-09-02 |
| 公開(公告)號: | CN104166627A | 公開(公告)日: | 2014-11-26 |
| 發(fā)明(設計)人: | 田星星;何剛;焦來賓 | 申請(專利權)人: | 科大智能電氣技術有限公司 |
| 主分類號: | G06F12/02 | 分類號: | G06F12/02;G06F12/16 |
| 代理公司: | 合肥天明專利事務所 34115 | 代理人: | 奚華保 |
| 地址: | 230088 安徽*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 單片機 nand flash 操作方法 | ||
1.一種基于單片機的NAND-FLASH寫操作方法,其特征在于:該方法包括以下步驟:
(1)將NAND-FLASH劃分為壞塊映射信息區(qū)、塊交換區(qū)、數據使用區(qū)和壞塊替換區(qū);
(2)遍歷壞塊映射信息區(qū),并根據遍歷結果,在塊交換區(qū)查找可以使用的交換塊,在數據使用區(qū)或壞塊替換區(qū)查找寫操作真實的目的塊;
(3)擦除交換塊;
(4)復制目的塊到交換塊;
(5)擦除目的塊;
(6)結合交換塊的數據和要寫入的數據生成新的數據,逐頁寫入到目的塊。
2.根據權利要求1所述的一種基于單片機的NAND-FLASH寫操作方法,其特征在于:在步驟(4)所述的復制目的塊到交換塊的過程中,同時檢查寫操作是否成功,若不成功,則記錄壞塊,更新壞塊映射表,返回步驟(2);
在步驟(5)所述的擦除目的塊的過程中,同時檢查寫操作是否成功,若不成功,則記錄壞塊,更新壞塊映射表,返回步驟(2);
在步驟(6)所述的結合交換塊的數據和要寫入的數據生成新的數據,逐頁寫入到目的塊的過程中,同時檢查寫操作是否成功,若不成功,則記錄壞塊,更新壞塊映射表,返回步驟(2)。
3.根據權利要求2所述的一種基于單片機的NAND-FLASH寫操作方法,其特征在于:所述的檢查寫操作是否成功采用ECC校驗的方式進行。
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