[發(fā)明專利]一種高端MOSFET驅(qū)動電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410439294.8 | 申請日： | 2014-08-29 |
| 公開（公告）號： | CN104158388B | 公開（公告）日： | 2017-01-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 周澤坤;孫亞東;石躍;馮捷斐;程潔;王卓;張波 | 申請（專利權(quán)）人： | 電子科技大學(xué) |
| 主分類號： | H02M1/088 | 分類號： | H02M1/088 |
| 代理公司： | 成都宏順專利代理事務(wù)所(普通合伙)51227 | 代理人： | 李玉興 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 高端 mosfet 驅(qū)動 電路 | ||
1.一種高端MOSFET驅(qū)動電路，其特征在于，該驅(qū)動電路由第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第一耐壓管、第二耐壓管、第三耐壓管、第一NPN管、第一電阻單元以及第一電容單元構(gòu)成；其中，第一PMOS管的源極接浮動電源軌的高電位端，其柵極接高端控制信號，其漏極接第一NMOS管的漏極、第一耐壓管的源極、第一電阻單元的一端以及第三耐壓管的漏極；第一NMOS管的柵極接低端控制信號，其源極與第一耐壓管的柵極接浮動電源軌的低電位端；第一耐壓管的漏極接第二耐壓管的漏極和第一NPN管的基極和發(fā)射極；第一NPN管的集電極接第一電阻單元的另一端；第二耐壓管的柵極接外部偏置電壓，其源極接第三NMOS管的漏極和第四NMOS管的漏極；第三NMOS管的柵極接第二NMOS管柵漏極，其源極接地VSS；第二NMOS管的漏極接偏置電流，其柵極和漏極互連，其源極接地VSS；第四NMOS管的柵極接第五NMOS管的柵漏極和第一電容單元的一端，其源極接地VSS；第五NMOS管的源極接地VSS；第一電容單元的另一端接第三耐壓管的源極和第二PMOS管的源極；第三耐壓管的柵極接外部偏置電壓；第二PMOS管的漏極接地VSS，其柵極接外部偏置電壓；第一PMOS管的漏極、第一NMOS管的漏極、第一耐壓管的源極、第一電阻單元的一端和第三耐壓管的漏極的連接點(diǎn)為高端MOSFET驅(qū)動電路的輸出端，輸出信號用于驅(qū)動高端功率管；第二耐壓管的源極、第三NMOS管的漏極和第四NMOS管的漏極的連接點(diǎn)為控制信號輸出端，輸出的控制信號用于低端功率管驅(qū)動電路的控制。
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- 專利分類
H02M 用于交流和交流之間、交流和直流之間、或直流和直流之間的轉(zhuǎn)換以及用于與電源或類似的供電系統(tǒng)一起使用的設(shè)備；直流或交流輸入功率至浪涌輸出功率的轉(zhuǎn)換；以及它們的控制或調(diào)節(jié)
H02M1-00 變換裝置的零部件
H02M1-02 .專用于在靜態(tài)變換器內(nèi)的放電管產(chǎn)生柵極控制電壓或引燃極控制電壓的電路
H02M1-06 .非導(dǎo)電氣體放電管或等效的半導(dǎo)體器件的專用電路，例如閘流管、晶閘管的專用電路
H02M1-08 .為靜態(tài)變換器中的半導(dǎo)體器件產(chǎn)生控制電壓的專用電路
H02M1-10 .具有能任意地用不同種類的電流向負(fù)載供電的變換裝置的設(shè)備，例如用交流或直流
H02M1-12 .減少交流輸入或輸出諧波成分的裝置
