[發明專利]一種集成壓電熱釋電特性的溫室探測器及其制備方法

有效

• 申請號: 201410439239.9
• 申請日: 2014-09-01
• 公開（公告）號: CN104215338B
• 公開（公告）日: 2017-06-30
• 發明（設計）人: 王軍;蔣亞東;孫斌偉;黃澤華;黎威志
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: G01J5/10
• 分類號: G01J5/10
• 代理公司: 成都華風專利事務所(普通合伙)51223
• 代理人: 徐豐

1.一種集成壓電熱釋電特性的溫室探測器，其特征在于，包括：

由下至上依次覆蓋的襯底，介質層，下電極層，熱釋電材料層，上電極層以及頂層輻射波長吸收層；

其中，在襯底與介質層之間形成空腔體，介質層在空腔體的頂部，且介質層在所述空腔體的一側延伸至襯底上，使得介質層、下電極層、熱釋電材料層、上電極層以及頂層輻射波長吸收層整體形成懸臂梁結構，介質層具體為由溫度變化引起形變的材料。

2.根據權利要求1所述的集成壓電熱釋電特性的溫室探測器，其特征在于，熱釋電材料層具體為鉭酸鋰、鈮酸鋰、PZT、BST、PVDF及其上述兩種或兩種以上的混合物。

3.根據權利要求1所述的集成壓電熱釋電特性的溫室探測器，其特征在于，頂層輻射波長吸收層具體是吸收波長在700nm～3mm的范圍內的紅外或太赫茲波的吸收層。

4.一種集成壓電熱釋電特性的溫室探測器的制備方法，其特征在于，包括如下內容：

a)在襯底上生長犧牲層并進行光刻刻蝕，形成犧牲圖形；

b)在襯底上采用PECVD形成介質層，使得介質層覆蓋犧牲層的一側和頂部，并對介質層進行圖形化，露出電極連接接口；

c)在介質層上采用磁控濺射法形成下電極層，并在下電極層上采用光刻腐蝕或光刻膠剝離進行圖形化；

d)在下電極層上采用溶膠-凝膠法或磁控濺射法形成熱釋電材料層；

e)在熱釋電材料層上采用磁控濺射法形成上電極層，在上電極層上采用光刻腐蝕或光刻膠剝離進行圖形化；

f)在上電極層上采用蒸發法或磁控濺射法或旋涂法形成頂層輻射波長吸收層；

g)采用氧氣等離子體轟擊器件釋放犧牲層。

5.根據權利要求4所述的集成壓電熱釋電特性的溫室探測器的制備方法，其特征在于，在步驟b)之后，控制介質層的形變高度小于犧牲層厚度。

6.根據權利要求4所述的集成壓電熱釋電特性的溫室探測器的制備方法，其特征在于，在步驟d)之后，對熱釋電材料層進行退火處理。

7.根據權利要求6所述的集成壓電熱釋電特性的溫室探測器的制備方法，其特征在于，在對熱釋電材料層進行退火處理之后，對退火處理之后的熱釋電材料層進行極化處理。