[發明專利]一種等離子體加工設備

有效

• 申請號: 201410438682.4
• 申請日: 2014-08-29
• 公開（公告）號: CN105448774B
• 公開（公告）日: 2019-11-29
• 發明（設計）人: 馬亮;王錚
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/687;H01J37/32
• 代理公司: 11726 北京薈英捷創知識產權代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 左文;段志慧<國際申請>=<國際公布>=

1.一種等離子體加工設備，包括反應腔室，在所述反應腔室內設置有承載裝置和托盤，所述托盤用于承載多個基片，所述承載裝置用于承載所述托盤，其特征在于，在所述承載裝置內設置有吸附電極，所述吸附電極與電源電連接，以使所述托盤與所述承載裝置采用靜電吸附的方式固定，還包括驅動裝置和轉軸，所述轉軸對應所述托盤的中心區域設置，所述轉軸的一端與所述承載裝置固定連接，所述轉軸的另一端與所述驅動裝置的驅動軸相連接，借助所述驅動裝置的驅動軸旋轉驅動所述轉軸圍繞該轉軸中心軸水平旋轉，以帶動所述承載裝置和所述托盤圍繞該托盤中心軸水平旋轉；

所述轉軸的一端貫穿所述承載裝置的下表面與所述承載裝置固定連接；并且，所述轉軸的外周壁上設置有導電層，所述導電層與所述吸附電極電連接，在所述導電層的外側固定設置有與所述導電層相接觸的接觸電極，所述接觸電極與所述電源電連接，所述電源通過所述接觸電極、所述導電層與所述吸附電極電連接。

2.根據權利要求1所述的等離子體加工設備，其特征在于，所述導電層、所述吸附電極、所述接觸電極和所述電源輸出端一一對應，且至少為兩個，并且至少兩個所述導電層沿所述轉軸的周向間隔設置。

3.根據權利要求2所述的等離子體加工設備，其特征在于，所述吸附電極包括第一電極和第二電極，定義所述第一電極和所述第二電極上需要施加的電壓分別為第一電壓和第二電壓，所述第一電壓和所述第二電壓的電性相反；所述導電層包括第一導電層和第二導電層，分別與所述第一電極和第二電極電連接；所述接觸電極包括與第一導電層和第二導電層對應的第一接觸電極和第二接觸電極；所述電源包括第一輸出端和第二輸出端，所述第一輸出端與所述第一接觸電極電連接，所述第二輸出端與所述第二接觸電極電連接；預設所述第一輸出端和第二輸出端的輸出電壓均為周期等于所述轉軸旋轉周期的周期電壓信號，并且

所述第一輸出端的輸出電壓設置為：當所述轉軸的第一導電層旋轉至與所述第一接觸電極相接觸的位置處時，所述第一輸出端的輸出電壓為所述第一電壓；當所述轉軸的所述第二導電層旋轉至與所述第一接觸電極相接觸的位置處時，所述第一輸出端的輸出電壓為所述第二電壓；

所述第二輸出端的輸出電壓設置為：當所述轉軸的第一導電層旋轉至與所述第二接觸電極相接觸的位置處時，所述第二輸出端的輸出電壓為所述第一電壓；當所述轉軸的所述第二導電層旋轉至與所述第二接觸電極相接觸的位置處時，所述第二輸出端的輸出電壓為所述第二電壓。

4.根據權利要求1所述的等離子體加工設備，其特征在于，所述導電層為沿所述轉軸的周向設置的環形導電層，所述吸附電極與所述環形導電層電連接，在所述環形導電層的外側固定設置有與所述環形導電層相接觸的接觸電極，所述接觸電極與所述電源的電連接，所述電源通過所述接觸電極、所述環形導電層與所述吸附電極電連接。

5.根據權利要求2或4所述的等離子體加工設備，其特征在于，在所述導電層和所述轉軸的外周壁之間設置有絕緣層。

6.根據權利要求2所述的等離子體加工設備，其特征在于，在相鄰兩個所述導電層之間設置有絕緣層。

7.根據權利要求1所述的等離子體加工設備，其特征在于，所述轉軸的一端貫穿所述承載裝置的上下表面且與所述托盤接觸，在所述轉軸內且沿所述轉軸的長度方向還設置有第一冷卻管道，并且，在所述托盤內還設置有第二冷卻管路，所述第一冷卻管道與所述第二冷卻管道相連通，冷卻介質自所述第一冷卻管道輸送至所述第二冷卻管路，以實現對所述基片進行冷卻。

8.根據權利要求7所述的等離子體加工設備，其特征在于，所述第一冷卻管的輸入端所在的所述轉軸的端口處設置有磁流體密封件。

9.根據權利要求1所述的等離子體加工設備，其特征在于，所述承載裝置由上至下依次設置有靜電吸盤、卡座和加熱臺，所述轉軸的一端與所述靜電吸盤固定連接；或者，所述轉軸的一端與所述靜電吸盤和所述卡座均固定連接；或者，所述轉軸的一端與所述靜電吸盤、所述卡座和所述加熱臺均固定連接。