[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410438399.1
• 申請(qǐng)日: 2014-08-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105448729B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-11-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 謝欣云
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 應(yīng)戰(zhàn);駱蘇華

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面具有若干分立的鰭部；

在所述半導(dǎo)體襯底表面形成隔離層，所述隔離層的表面低于鰭部的頂部表面且覆蓋部分鰭部的側(cè)壁；

在所述鰭部表面形成防擴(kuò)散層，所述防擴(kuò)散層在后續(xù)進(jìn)行離子注入的過(guò)程中對(duì)注入離子起到散射作用，使得注入離子的注入方向偏離鰭部的晶格溝道方向；

形成所述防擴(kuò)散層后，對(duì)所述鰭部進(jìn)行防擴(kuò)散離子注入；

對(duì)所述鰭部進(jìn)行防擴(kuò)散離子注入之后，在對(duì)所述鰭部進(jìn)行N型或P型摻雜離子注入。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述防擴(kuò)散層為非晶態(tài)結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述防擴(kuò)散層的材料為氮氧化硅。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，采用化學(xué)氣相沉積工藝或原子層沉積工藝形成所述防擴(kuò)散層。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述防擴(kuò)散層的厚度為0.5nm～10nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述防擴(kuò)散離子注入的防擴(kuò)散離子為C。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述防擴(kuò)散離子注入的離子劑量為5E12atom/cm²～5E14atom/cm²。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述防擴(kuò)散離子注入的溫度為20℃～50℃。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述N型或P型摻雜離子注入過(guò)程中，對(duì)半導(dǎo)體襯底加熱，使所述半導(dǎo)體襯底溫度為300℃～600℃。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述N型或P型摻雜離子注入為源漏離子注入、閾值調(diào)整注入或阱注入。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述N型摻雜離子包括P、As或Sb。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述P型摻雜離子包括B、Ga或In。

13.根據(jù)權(quán)利要求1或9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述N型或P型摻雜離子注入的N型或P型摻雜離子位于防擴(kuò)散離子上方。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，還包括在進(jìn)行N型或P型摻雜離子注入之后，進(jìn)行退火處理。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述退火處理可以采用爐管退火、快速熱退火、激光尖峰退火或閃光退火工藝。

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述退火處理的溫度為600℃～1200℃。