[發明專利]發光二極管及其制造方法有效
| 申請號： | 201410438102.1 | 申請日： | 2014-08-29 |
| 公開（公告）號： | CN104425670B | 公開（公告）日： | 2018-07-06 |
| 發明（設計）人： | 樸柱勇;柳宗均;金彰淵 | 申請（專利權）人： | 首爾偉傲世有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/32 | 分類號： | H01L33/32;H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人： | 王兆賡;韓明星 |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 第一金屬層 化合物半導體層 第二金屬層 發光二極管 島狀物 歐姆接觸特性 反射金屬層 氮化鎵系 反射特性 歐姆接觸 覆蓋 制造 | ||
1.一種發光二極管，包括：
氮化鎵系的化合物半導體層；
第一金屬層，由包含Mg的島狀物形成，并歐姆接觸于所述化合物半導體層；
第二金屬層，由Ni形成，覆蓋所述第一金屬層，并在所述第一金屬層的島狀物之間接觸到所述化合物半導體層；
反射金屬層，覆蓋所述第二金屬層，
其中，所述包含Mg的島狀物對入射到所述第一金屬層的光進行反射，
所述島狀物上的第二金屬層的厚度大于所述島狀物之間的第二金屬層的厚度。
2.根據權利要求1所述的發光二極管，其中，
所述第一金屬層是Mg或Mg/Pt。
3.根據權利要求1所述的發光二極管，其中，
所述反射金屬層包括Ag。
4.根據權利要求1所述的發光二極管，還包括：
覆蓋所述反射金屬層的壁壘金屬層。
5.根據權利要求4所述的發光二極管，還包括：
支撐基板；
粘接金屬層，位于所述支撐基板和所述壁壘金屬層之間。
6.根據權利要求1所述的發光二極管，其中，
所述化合物半導體層是p型半導體層。
7.根據權利要求6所述的發光二極管，其中，
所述化合物半導體層具有相對c面、a面或m面傾斜±15度以內的生長面。
8.一種發光二極管，包括：
氮化鎵系的化合物半導體層；
第一金屬層，由島狀物形成，并歐姆接觸于所述化合物半導體層；
第二金屬層，由Ni形成，覆蓋所述第一金屬層，并在所述第一金屬層的島狀物之間接觸到所述化合物半導體層；
Ag反射金屬層，覆蓋所述第二金屬層，
其中，所述島狀物對入射到所述第一金屬層的光進行反射，
所述島狀物上的第二金屬層的厚度大于所述島狀物之間的第二金屬層的厚度。
9.一種發光二極管制造方法，包括如下步驟：
在生長基板上生長氮化鎵系的化合物半導體層；
在所述化合物半導體層上沉積含有Mg的第一金屬層；
在所述第一金屬層上沉積含有Ni的第二金屬層；
在所述第二金屬層上形成反射金屬層；
通過對所述第一金屬層進行熱處理來形成島狀物，
其中，所述第二金屬層覆蓋所述島狀物，并接觸到所述島狀物之間的化合物半導體層，所述島狀物上的第二金屬層的厚度大于所述島狀物之間的第二金屬層的厚度，所述第一金屬層對入射到所述第一金屬層的光進行反射。
10.根據權利要求9所述的發光二極管制造方法，其中，
含有Mg的所述第一金屬層是Mg或Mg/Pt。
11.根據權利要求9所述的發光二極管制造方法，其中，
所述反射金屬層包括Ag。
12.根據權利要求9所述的發光二極管制造方法，其中，
在所述反射金屬層上形成壁壘金屬層，所述熱處理是在形成所述壁壘金屬層之后執行。
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